Casa Prodottitransistor di potenza del mosfet

Convertitori cc-cc del transistor di potenza 25A 100V TO-252 SOP-8 del Mosfet di AP25N10X

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

Sono ora online in chat

Convertitori cc-cc del transistor di potenza 25A 100V TO-252 SOP-8 del Mosfet di AP25N10X

Convertitori cc-cc del transistor di potenza 25A 100V TO-252 SOP-8 del Mosfet di AP25N10X
Convertitori cc-cc del transistor di potenza 25A 100V TO-252 SOP-8 del Mosfet di AP25N10X Convertitori cc-cc del transistor di potenza 25A 100V TO-252 SOP-8 del Mosfet di AP25N10X Convertitori cc-cc del transistor di potenza 25A 100V TO-252 SOP-8 del Mosfet di AP25N10X Convertitori cc-cc del transistor di potenza 25A 100V TO-252 SOP-8 del Mosfet di AP25N10X

Grande immagine :  Convertitori cc-cc del transistor di potenza 25A 100V TO-252 SOP-8 del Mosfet di AP25N10X

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: AP25N10X
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Convertitori cc-cc del transistor di potenza 25A 100V TO-252 SOP-8 del Mosfet di AP25N10X

descrizione
Nome di prodotto: Transistor di potenza del Mosfet modello: AP25N10X
Pacchetto: SOP-8 Segno: AAAA DI AP25N10S XXX
Tensione di VDSDrain-fonte: 100V Tensione del rce di VGSGate-Sou: ±20V
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

Convertitori cc-cc del transistor di potenza 25A 100V TO-252 SOP-8 del Mosfet di AP25N10X

 

Descrizione del transistor di potenza del Mosfet:

 

Uso VD avanzato di AP25N10X la MAGGIOR PARTE della tecnologia a
fornisca il RDS basso (SOPRA), la tassa bassa del portone, commutazione veloce
Questo dispositivo è destinato specialmente per migliorare l'irregolarità
ed adatto usare dentro
RDS basso (sopra) & FOM
Estremamente - perdita bassa di commutazione
Stabilità ed uniformità o invertitori eccellenti

 

Caratteristiche del transistor di potenza del Mosfet

 

VDS =100V I D =25 A
RDS (SOPRA) < 55m=""> RDS (SOPRA) < 85m="">

 

Applicazione del transistor di potenza del Mosfet

 

Controllo motorio elettronico dell'alimentazione elettrica del consumatore
CC isolata Sincrono-rettifica
applicazioni di Sincrono-rettifica

 

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

 

Identificazione del prodotto Pacchetto Segno Qty (PCS)
AP25N10S SOP-8 AAAA DI AP25N10S XXX 3000
AP25N10D TO-252-3 AAAA DI AP25N10D XXX 2500

 

Ratings@Tj massimo assoluto =25 C (salvo specificazione contraria)

 

Simbolo Parametro Valutazione Unità
VDS Tensione di Scolo-fonte 100 V
VGS Tensione di Portone-fonte +20 V
ID@TC =25℃ Vuoti la corrente, VGS @ 10V 25 A
ID@TC =100℃ Vuoti la corrente, VGS @ 10V 15 A
IDM Scolo pulsato Current1 60 A
PD@TC =25℃ Dissipazione di potere totale 44,6 W
PD@TA =25℃ Dissipazione di potere totale 2 W
T STG Gamma di temperature di stoccaggio -55 - 150
T J Gamma di temperature di funzionamento della giunzione -55 - 150

Rthj-c Resistenza termica massima, Giunzione-caso 2,8 ℃/W
Rthj-a

Resistenza termica massima, Giunzione-ambientale

(Supporto del PWB)

62,5 ℃/W

 

Characteristics@Tj elettrico =25 C (salvo specificazione contraria)

Simbolo Parametro Condizioni di prova Min. Tipo. Massimo. Unità
BVDSS Tensione di ripartizione di Scolo-fonte VGS =0V, IDENTIFICAZIONE =250UA 100 - - V
RDS (SOPRA)

Scolo-fonte statica su

Resistance2

VGS =10V, I =12A - - 55
VGS =5V, IDENTIFICAZIONE =8A - - 85
VGS (Th) Tensione della soglia del portone VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250UA 0,9 - 2,5 V
gfs Transconduttanza di andata VDS =10V, I =12A - 14 - S
IDSS Corrente di perdita di Scolo-fonte VDS =80V, VGS =0V - - 25 uA
IGSS Perdita di Portone-fonte VGS = +20V, VDS =0V - - +100 Na
Qg Portone totale Charge2 ID=12A - 13,5 21,6 nC
Qgs Tassa di Portone-fonte - 3 - nC
Qgd Tassa dello Portone-scolo («Miller») - 9 - nC
il TD (sopra) Ritardo d'apertura Time2 VDS =50V - 6,5 - NS
TR Tempo di aumento - 18 - NS
il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-fuori - 20 - NS
tf Tempo di caduta - 5 - NS
Ciss Capacità dell'input

VGS =0V

VDS =25V

- 840 1340 PF
Coss Capacità di uscita - 115 - PF
Crss Capacità inversa di trasferimento - 80 - PF
Rg Resistenza del portone f=1.0MHz - 1,6 - Ω
VSD Trasmetta su Voltage2 IS=12A, VGS =0V - - 1,3 V
trr Recupero inverso Time2

IS=12A, VGS =0V

dI/dt=100A/µs

- 40 - NS
Qrr Tassa inversa di recupero   - 70 - nC
Simbolo Parametro Condizioni di prova Min. Tipo. Massimo. Unità
BVDSS Tensione di ripartizione di Scolo-fonte VGS =0V, IDENTIFICAZIONE =250UA 100 - - V
RDS (SOPRA)

Scolo-fonte statica su

Resistance2

VGS =10V, I =12A - - 55
VGS =5V, IDENTIFICAZIONE =8A - - 85
VGS (Th) Tensione della soglia del portone VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250UA 0,9 - 2,5 V
gfs Transconduttanza di andata VDS =10V, I =12A - 14 - S
IDSS Corrente di perdita di Scolo-fonte VDS =80V, VGS =0V - - 25 uA
IGSS Perdita di Portone-fonte VGS = +20V, VDS =0V - - +100 Na
Qg Portone totale Charge2 ID=12A - 13,5 21,6 nC
Qgs Tassa di Portone-fonte - 3 - nC
Qgd Tassa dello Portone-scolo («Miller») - 9 - nC
il TD (sopra) Ritardo d'apertura Time2 VDS =50V - 6,5 - NS
TR Tempo di aumento - 18 - NS
il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-fuori - 20 - NS
tf Tempo di caduta - 5 - NS
Ciss Capacità dell'input

VGS =0V

VDS =25V

- 840 1340 PF
Coss Capacità di uscita - 115 - PF
Crss Capacità inversa di trasferimento - 80 - PF
Rg Resistenza del portone f=1.0MHz - 1,6 - Ω
VSD Trasmetta su Voltage2 IS=12A, VGS =0V - - 1,3 V
trr Recupero inverso Time2

IS=12A, VGS =0V

dI/dt=100A/µs

- 40 - NS
Qrr Tassa inversa di recupero   - 70 - nC

 

Note:

 

1. Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima. prova 2.Pulse

3.Surface montato su 1 dentro

cuscinetto di rame 2 del bordo FR4

 

 

Attenzione

 

1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.

2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.

3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.

4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.

5, nel caso in cui qualsiasi prodotti della microelettronica di APM (dati tecnici compresi, servizi) descritti o contenuti qui siano controllati sotto c'è ne delle leggi e dei regolamenti di controllo delle esportazioni locali applicabili, tali prodotti non devono essere esportati senza ottenere la licenza di esportazione dalle autorità responsabili conformemente alla legge di cui sopra.

6, nessuna parte di questa pubblicazione possono essere riprodotti o trasmessi in tutta la forma o con qualsiasi mezzo, elettronico o meccanico, compreso la fotocopiatura e la registrazione, o qualunque sistema di ricerca dell'informazione o di memorizzazione dei dati, o altrimenti, senza il permesso scritto priore del semiconduttore CO. della microelettronica di APM, srl.

7, informazioni (schemi circuitali compresi e parametri del circuito) qui sono soltanto per esempio; non è garantito per produzione in volume. La microelettronica di APM crede che le informazioni qui siano accurate ed affidabili, ma nessuna garanzia è fatta o implicata per quanto riguarda il suo uso o tutte le infrazioni dei diritti di proprietà intellettuale o di altri diritti dei terzi.

8, qualsiasi informazioni descritti o contenuti qui sono conforme a cambiamento senza preavviso dovuto il prodotto/il miglioramento della tecnologia, ecc. Nel progettare l'attrezzatura, riferisca «alla specificazione della consegna» per il prodotto della microelettronica di APM che intendete usare.

 

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

Lasciate un messaggio

Ti richiameremo presto!