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Transistor a corrente forte di AP30N10D, transistor di effetto di campo di 30A 100V TO-252

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
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Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

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Transistor a corrente forte di AP30N10D, transistor di effetto di campo di 30A 100V TO-252

Transistor a corrente forte di AP30N10D, transistor di effetto di campo di 30A 100V TO-252
Transistor a corrente forte di AP30N10D, transistor di effetto di campo di 30A 100V TO-252 Transistor a corrente forte di AP30N10D, transistor di effetto di campo di 30A 100V TO-252 Transistor a corrente forte di AP30N10D, transistor di effetto di campo di 30A 100V TO-252

Grande immagine :  Transistor a corrente forte di AP30N10D, transistor di effetto di campo di 30A 100V TO-252

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: AP30N10D
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Transistor a corrente forte di AP30N10D, transistor di effetto di campo di 30A 100V TO-252

descrizione
Nome di prodotto: Transistor a corrente forte modello: AP30N10D
Pacchetto: TO-252-3L Segno: AAAA DI AP30N10D XXX
Tensione di VDSDrain-fonte: 100V Tensione del rce di VGSGate-Sou: ±20V
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

Transistor a corrente forte di AP30N10D, transistor di effetto di campo di 30A 100V TO-252

 

Tipi a corrente forte del transistor

 

I MOSFETs possono essere dei tipi differenti, includendo:

 

Modo di svuotamento: Normalmente SOPRA. L'applicazione del VGS lo spegnerebbe.

Modo di potenziamento: Normalmente FUORI. L'applicazione del VGS lo accenderebbe.

MOSFETs di N-Manica: tensioni e correnti positive.

MOSFETs di P-Manica: tensioni e correnti negative.

MOSFETs di bassa tensione: BVDSS da 0 V a 200 V.

MOSFETs ad alta tensione: Greather di BVDSS che 200 V.

 

Caratteristiche a corrente forte del transistor

 

VDS = 100V IDENTIFICAZIONE = 30A
RDS (SOPRA) < 47m="">

 

Uso a corrente forte del transistor

 

Protezione della batteria
Commutatore del carico
Gruppo di continuità

 

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

 

Identificazione del prodotto Pacchetto Segno Qty (PCS)
AP30N10D TO-252-3L AAAA DI AP30N10D XXX 2500

 

Valutazioni massime assolute Tc=25℃ salvo indicazione contraria

 

Simbolo Parametro Valutazione Unità
VDS Tensione di Scolo-fonte 100 V
VGS Tensione di Portone-fonte ±20 V
ID@TC =25℃ Corrente continua dello scolo, V GS @ 10V 1 30 A
℃ di ID@TC =100 Corrente continua dello scolo, V GS @ 10V 1 13,5 A
ID@TA =25℃ Corrente continua dello scolo, V GS @ 10V 1 4,2 A
ID@TA =70℃ Corrente continua dello scolo, V GS @ 10V 1 3,4 A
IDM Scolo pulsato Current2 45 A
EAS Singola energia 3 della valanga di impulso 36,5 mJ
IAS Corrente della valanga 27 A
℃ di PD@TC =25 Potere totale Dissipation4 52,1 W
℃ di PD@TA =25 Potere totale Dissipation4 2 W
TSTG Gamma di temperature di stoccaggio -55 - 150
TJ Gamma di temperature di funzionamento della giunzione -55 - 150
RθJA Resistenza termica 1 Giunzione-ambientale 62 ℃/W
RθJC Giunzione-caso 1 di resistenza termica 2,4 ℃/W
Simbolo Parametro Circostanze Min. Tipo. Massimo. Unità
BVDSS Tensione di ripartizione di Scolo-fonte VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△BVDSS/T J Coefficiente di temperatura di BVDSS Riferimento a 25℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃

 

RDS (SOPRA)

 

Su resistenza statica di Scolo-fonte

VGS=10V, I D=20A --- 38 47

 

VGS=4.5V, I D=15A --- 40 50
VGS (Th) Tensione della soglia del portone   1,3 --- 2,5 V
△VGS (Th) Coefficiente di temperatura di VGS (Th) --- -5,52 --- mV/℃
IDSS Corrente di perdita di Scolo-fonte VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 10 uA
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 100
IGSS Corrente di perdita di Portone-fonte VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Transconduttanza di andata VDS=5V, ID=20A --- 28,7 --- S
Rg Resistenza del portone VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,6 3,2 Ω
Qg Tassa totale del portone (10V)   --- 60 84  
Qgs Tassa di Portone-fonte --- 9,7 14
Qgd Tassa dello Portone-scolo --- 11,8 16,5
Il TD (sopra) Tempo di ritardo d'apertura   --- 10,4 21  
TR Tempo di aumento --- 46 83
Il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-Fuori --- 54 108
Tf Tempo di caduta --- 10 20
Ciss Capacità dell'input   --- 3848 5387  
Coss Capacità di uscita --- 137 192
Crss Capacità inversa di trasferimento --- 82 115
È Corrente di fonte continua 1,5 VG=VD=0V, corrente della forza --- --- 22 A
DOTTRINA Corrente di fonte pulsata 2,5 --- --- 45 A
VSD Il diodo trasmette Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V
trr Tempo di recupero inverso IF=20A, dI/dt=100A/µs, --- 30 --- NS
Qrr Tassa inversa di recupero --- 37 --- nC
Simbolo Parametro Circostanze Min. Tipo. Massimo. Unità
BVDSS Tensione di ripartizione di Scolo-fonte VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△BVDSS/T J Coefficiente di temperatura di BVDSS Riferimento a 25℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃

 

RDS (SOPRA)

 

Su resistenza statica di Scolo-fonte

VGS=10V, I D=20A --- 38 47

 

VGS=4.5V, I D=15A --- 40 50
VGS (Th) Tensione della soglia del portone   1,3 --- 2,5 V
△VGS (Th) Coefficiente di temperatura di VGS (Th) --- -5,52 --- mV/℃
IDSS Corrente di perdita di Scolo-fonte VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 10 uA
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 100
IGSS Corrente di perdita di Portone-fonte VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Transconduttanza di andata VDS=5V, ID=20A --- 28,7 --- S
Rg Resistenza del portone VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,6 3,2 Ω
Qg Tassa totale del portone (10V)   --- 60 84  
Qgs Tassa di Portone-fonte --- 9,7 14
Qgd Tassa dello Portone-scolo --- 11,8 16,5
Il TD (sopra) Tempo di ritardo d'apertura   --- 10,4 21  
TR Tempo di aumento --- 46 83
Il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-Fuori --- 54 108
Tf Tempo di caduta --- 10 20
Ciss Capacità dell'input   --- 3848 5387  
Coss Capacità di uscita --- 137 192
Crss Capacità inversa di trasferimento --- 82 115
È Corrente di fonte continua 1,5 VG=VD=0V, corrente della forza --- --- 22 A
DOTTRINA Corrente di fonte pulsata 2,5 --- --- 45 A
VSD Il diodo trasmette Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V
trr Tempo di recupero inverso IF=20A, dI/dt=100A/µs, --- 30 --- NS
Qrr Tassa inversa di recupero --- 37 --- nC

 

Nota:

i dati 1.The hanno provato da superficie montata su un bordo a 1 pollici FR-4 con rame 2OZ.

i dati 2.The hanno provato tramite pulsato, ≦ 300us, il ≦ 2% di larghezza di impulso del duty cycle

i dati di 3.The EAS mostrano la valutazione massima. La condizione di prova è VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS =27A

la dissipazione di potere 4.The è limitata dalla temperatura di giunzione 150℃

i dati 5.The sono teoricamente lo stesso come IDand IDM, nelle applicazioni reali, dovrebbe essere limitato dalla dissipazione di potere totale.

 

Attenzione

 

1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.

2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.

3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.

4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.

5, nel caso in cui qualsiasi prodotti della microelettronica di APM (dati tecnici compresi, servizi) descritti o contenuti qui siano controllati sotto c'è ne delle leggi e dei regolamenti di controllo delle esportazioni locali applicabili, tali prodotti non devono essere esportati senza ottenere la licenza di esportazione dalle autorità responsabili conformemente alla legge di cui sopra.

6, nessuna parte di questa pubblicazione possono essere riprodotti o trasmessi in tutta la forma o con qualsiasi mezzo, elettronico o meccanico, compreso la fotocopiatura e la registrazione, o qualunque sistema di ricerca dell'informazione o di memorizzazione dei dati, o altrimenti, senza il permesso scritto priore del semiconduttore CO. della microelettronica di APM, srl.

7, informazioni (schemi circuitali compresi e parametri del circuito) qui sono soltanto per esempio; non è garantito per produzione in volume. La microelettronica di APM crede che le informazioni qui siano accurate ed affidabili, ma nessuna garanzia è fatta o implicata per quanto riguarda il suo uso o tutte le infrazioni dei diritti di proprietà intellettuale o di altri diritti dei terzi.

8, qualsiasi informazioni descritti o contenuti qui sono conforme a cambiamento senza preavviso dovuto il prodotto/il miglioramento della tecnologia, ecc. Nel progettare l'attrezzatura, riferisca «alla specificazione della consegna» per il prodotto della microelettronica di APM che intendete usare.

 

Dettagli di contatto
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Persona di contatto: David

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