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AP50N10D si raddoppiano transistor di alto potere del commutatore/50A 100V TO-252 del Mosfet

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

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AP50N10D si raddoppiano transistor di alto potere del commutatore/50A 100V TO-252 del Mosfet

AP50N10D si raddoppiano transistor di alto potere del commutatore/50A 100V TO-252 del Mosfet
AP50N10D si raddoppiano transistor di alto potere del commutatore/50A 100V TO-252 del Mosfet AP50N10D si raddoppiano transistor di alto potere del commutatore/50A 100V TO-252 del Mosfet AP50N10D si raddoppiano transistor di alto potere del commutatore/50A 100V TO-252 del Mosfet

Grande immagine :  AP50N10D si raddoppiano transistor di alto potere del commutatore/50A 100V TO-252 del Mosfet

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: AP50N10D
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

AP50N10D si raddoppiano transistor di alto potere del commutatore/50A 100V TO-252 del Mosfet

descrizione
Nome di prodotto: Commutatore doppio del Mosfet modello: AP50N10D
Pacchetto: TO-252 Segno: AAAA DI AP50N10D XXX
Tensione di VDSDrain-fonte: 100V Tensione del rce di VGSGate-Sou: ±20V
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

AP50N10D si raddoppiano transistor di alto potere del commutatore/50A 100V TO-252 del Mosfet

 

Applicazioni doppie del commutatore del Mosfet 

 

Commuti le alimentazioni elettriche del modo (SMPS)

Illuminazione residenziale, commerciale, architettonica e di via

Convertitori cc-cc

Controllo motorio

Applicazioni automobilistiche

 

Descrizione doppia del commutatore del Mosfet:

 

La tecnologia avanzata della fossa di usi di AP50N10D
per fornire RDS eccellente (SOPRA), la tassa bassa del portone e
operazione con le tensioni del portone basse quanto 4.5V.
Questo dispositivo è adatto ad uso come a
Protezione della batteria o nell'altra applicazione di commutazione.

 

Caratteristiche doppie del commutatore del Mosfet

 

VDS = 100V IDENTIFICAZIONE =50A
RDS (SOPRA) < 25m="">

 

 

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

 

Identificazione del prodotto Pacchetto Segno Qty (PCS)
AP50N10D TO-252 AAAA DI AP50N10D XXX 2500

 

Valutazioni massime assolute (TC =25℃ salvo indicazione contraria)

 

Simbolo Parametro Limite Unità
VDS Tensione di Scolo-fonte 100 V
VGS Tensione di Portone-fonte ±20 V
Identificazione Vuoti Corrente-continuo 50 A
I (100℃) Vuoti Corrente-continuo (TC=100℃) 21 A
IDM Corrente pulsata dello scolo 70 A
Palladio Dissipazione di potere massima 85 W
  Ridurre le imposte su fattore 0,57 W/℃
EAS Singola energia della valanga di impulso (nota 5) 256 mJ
TJ, TSTG Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione -55 - 175
RθJC Resistenza termica, Giunzione--caso (nota 2) 1,8 ℃/W

 

Caratteristiche elettriche (TC =25℃ salvo indicazione contraria)

 

 

Simbolo Parametro Circostanza Min Tipo Massimo Unità
BVDSS Tensione di ripartizione di Scolo-fonte VGS=0V ID=250μA 100   - V
IDSS Corrente zero dello scolo di tensione del portone VDS=100V, VGS=0V - - 1 μA
IGSS Corrente di perdita del Portone-corpo VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 Na
VGS (Th) Tensione della soglia del portone VDS=VGS, μA ID=250 1   3 V
RDS (SOPRA)

Su stato di Scolo-fonte

Resistenza

VGS=10V, ID=20A - 24 28 mΩ
RDS (SOPRA)

Su stato di Scolo-fonte

Resistenza

VGS=4.5V, ID=10A - 28 30 mΩ
gFS Transconduttanza di andata VDS=5V, ID=10A - 15 - S
Clss Capacità dell'input VDS=25V, VGS=0V,
F=1.0MHz
- 2000 - PF
Coss Capacità di uscita - 300 - PF
Crss Capacità inversa di trasferimento - 250 - PF
il TD (sopra) Tempo di ritardo d'apertura VDD=50V, RL=5Ω
VGS=10V, RGEN=3Ω
- 7 - NS

r

t

Tempo di aumento d'apertura - 7 - NS
il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-Fuori - 29 - NS

f

t

Tempo di caduta di giro-Fuori - 7 - NS
Qg Tassa totale del portone VDS=50V, ID=10A,
VGS=10V
- 39 - nC
Qgs Tassa di Portone-fonte - 8 - nC
Qgd Tassa dello Portone-scolo - 12 - nC
VSD Tensione di andata del diodo (nota 3) VGS=0V, IS=20A - - 1,2 V

S

I

Corrente di andata del diodo (nota 2) - - - 30 A

rr

t

Tempo di recupero inverso

TJ = 25°C, SE = 10A

di/dt = 100A/μs (Note3)

- 32 - NS
Qrr Tassa inversa di recupero - 53 - nC
tonnellata Tempo d'apertura di andata

Il tempo d'apertura intrinseco è trascurabile (eccitazzione è dominata vicino

LS+LD)

 

Note:

1, valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.

2, di superficie montato FR4 sul bordo, sec del ≤ 10 di t.

3, prova di impulso: Μs del ≤ 300 di larghezza di impulso, ≤ 2% del duty cycle.

4, garantito da progettazione, non conforme a produzione

5, stato di EAS: Tj=25 ℃, VDD=50V, VG=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω, IAS=32A

 

Attenzione

 

1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.

2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.

3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.

4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.

5, nel caso in cui qualsiasi prodotti della microelettronica di APM (dati tecnici compresi, servizi) descritti o contenuti qui siano controllati sotto c'è ne delle leggi e dei regolamenti di controllo delle esportazioni locali applicabili, tali prodotti non devono essere esportati senza ottenere la licenza di esportazione dalle autorità responsabili conformemente alla legge di cui sopra.

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Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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