Dettagli:
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Nome di prodotto: | Commutatore doppio del Mosfet | modello: | AP50N10D |
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Pacchetto: | TO-252 | Segno: | AAAA DI AP50N10D XXX |
Tensione di VDSDrain-fonte: | 100V | Tensione del rce di VGSGate-Sou: | ±20V |
Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
AP50N10D si raddoppiano transistor di alto potere del commutatore/50A 100V TO-252 del Mosfet
Applicazioni doppie del commutatore del Mosfet
Commuti le alimentazioni elettriche del modo (SMPS)
Illuminazione residenziale, commerciale, architettonica e di via
Convertitori cc-cc
Controllo motorio
Applicazioni automobilistiche
Descrizione doppia del commutatore del Mosfet:
La tecnologia avanzata della fossa di usi di AP50N10D
per fornire RDS eccellente (SOPRA), la tassa bassa del portone e
operazione con le tensioni del portone basse quanto 4.5V.
Questo dispositivo è adatto ad uso come a
Protezione della batteria o nell'altra applicazione di commutazione.
Caratteristiche doppie del commutatore del Mosfet
VDS = 100V IDENTIFICAZIONE =50A
RDS (SOPRA) < 25m="">
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
Identificazione del prodotto | Pacchetto | Segno | Qty (PCS) |
AP50N10D | TO-252 | AAAA DI AP50N10D XXX | 2500 |
Valutazioni massime assolute (TC =25℃ salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Limite | Unità |
VDS | Tensione di Scolo-fonte | 100 | V |
VGS | Tensione di Portone-fonte | ±20 | V |
Identificazione | Vuoti Corrente-continuo | 50 | A |
I (100℃) | Vuoti Corrente-continuo (TC=100℃) | 21 | A |
IDM | Corrente pulsata dello scolo | 70 | A |
Palladio | Dissipazione di potere massima | 85 | W |
Ridurre le imposte su fattore | 0,57 | W/℃ | |
EAS | Singola energia della valanga di impulso (nota 5) | 256 | mJ |
TJ, TSTG | Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | -55 - 175 | ℃ |
RθJC | Resistenza termica, Giunzione--caso (nota 2) | 1,8 | ℃/W |
Caratteristiche elettriche (TC =25℃ salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Circostanza | Min | Tipo | Massimo | Unità |
BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS=0V ID=250μA | 100 | - | V | |
IDSS | Corrente zero dello scolo di tensione del portone | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
IGSS | Corrente di perdita del Portone-corpo | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VDS=VGS, μA ID=250 | 1 | 3 | V | |
RDS (SOPRA) |
Su stato di Scolo-fonte Resistenza |
VGS=10V, ID=20A | - | 24 | 28 | mΩ |
RDS (SOPRA) |
Su stato di Scolo-fonte Resistenza |
VGS=4.5V, ID=10A | - | 28 | 30 | mΩ |
gFS | Transconduttanza di andata | VDS=5V, ID=10A | - | 15 | - | S |
Clss | Capacità dell'input | VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 2000 | - | PF |
Coss | Capacità di uscita | - | 300 | - | PF | |
Crss | Capacità inversa di trasferimento | - | 250 | - | PF | |
il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura | VDD=50V, RL=5Ω VGS=10V, RGEN=3Ω |
- | 7 | - | NS |
r t |
Tempo di aumento d'apertura | - | 7 | - | NS | |
il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-Fuori | - | 29 | - | NS | |
f t |
Tempo di caduta di giro-Fuori | - | 7 | - | NS | |
Qg | Tassa totale del portone | VDS=50V, ID=10A, VGS=10V |
- | 39 | - | nC |
Qgs | Tassa di Portone-fonte | - | 8 | - | nC | |
Qgd | Tassa dello Portone-scolo | - | 12 | - | nC | |
VSD | Tensione di andata del diodo (nota 3) | VGS=0V, IS=20A | - | - | 1,2 | V |
S I |
Corrente di andata del diodo (nota 2) | - | - | - | 30 | A |
rr t |
Tempo di recupero inverso |
TJ = 25°C, SE = 10A di/dt = 100A/μs (Note3) |
- | 32 | - | NS |
Qrr | Tassa inversa di recupero | - | 53 | - | nC | |
tonnellata | Tempo d'apertura di andata |
Il tempo d'apertura intrinseco è trascurabile (eccitazzione è dominata vicino LS+LD) |
Note:
1, valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
2, di superficie montato FR4 sul bordo, sec del ≤ 10 di t.
3, prova di impulso: Μs del ≤ 300 di larghezza di impulso, ≤ 2% del duty cycle.
4, garantito da progettazione, non conforme a produzione
5, stato di EAS: Tj=25 ℃, VDD=50V, VG=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω, IAS=32A
Attenzione
1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.
2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.
3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.
4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.
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