Dettagli:
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Nome di prodotto: | Interruttore di accensione del Mosfet | modello: | AP8810TS |
---|---|---|---|
Pacchetto: | TSSOP-8 | Segno: | AAAA DI AP8810E XXX |
Tensione di VDSDrain-fonte: | 20V | Tensione del rce di VGSGate-Sou: | ±12V |
Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
Multi commutatore a corrente forte funzionale del Mosfet dell'interruttore di accensione/AP8810TS del Mosfet
Descrizione generale:
Il transistor di effetto del giacimento del MOS è utilizzato in molti l'alimentazione elettrica e le applicazioni di potere generale, particolarmente come commutatori. La variante s include i MOSFETs planari, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs ed altre marche commerciali differenti.
Caratteristiche generali
VDS = 20V, IDENTIFICAZIONE = 7A
Valutazione di RDS (SOPRA < 28m="">
) RDS (SOPRA < 26m="">
) RDS (SOPRA < 22m="">
) RDS (SOPRA < 20m="">
) ESD: 2000V HBM
Applicazione
Protezione della batteria
Gestione di potere del commutatore del carico
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
Identificazione del prodotto | Pacchetto | Segno | Qty (PCS) |
AP8810TS | TSSOP-8 | AAAA DI AP8810E XXX | 5000 |
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (℃ TA=25 salvo indicazione contraria)
Parametro | Simbolo | Limite | Unità |
Tensione di Scolo-fonte | VDS | 20 | V |
Tensione di Portone-fonte | VGS | ±12 | V |
Vuoti Current-Continuous@ Corrente-ha pulsato (nota 1) |
Identificazione | 7 | A |
IDM | 25 | A | |
Dissipazione di potere massima | Palladio | 1,5 | W |
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | T J, T STG | -55 - 150 | ℃ |
Resistenza termica, Giunzione--ambientale (nota 2) | RθJA | 83 | ℃/W |
Parametro | Simbolo | Limite | Unità |
Tensione di Scolo-fonte | VDS | 20 | V |
Tensione di Portone-fonte | VGS | ±12 | V |
Vuoti Current-Continuous@ Corrente-ha pulsato (nota 1) |
Identificazione | 7 | A |
IDM | 25 | A | |
Dissipazione di potere massima | Palladio | 1,5 | W |
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | T J, T STG | -55 - 150 | ℃ |
Resistenza termica, Giunzione--ambientale (nota 2) | RθJA | 83 | ℃/W |
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (℃ TA=25 salvo indicazione contraria)
Parametro | Simbolo | Circostanza | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | LA BV DSS | V μA di GS=0V ID=250 | 20 | V | ||
Corrente zero dello scolo di tensione del portone | IDSS | V DS=20V, V GS=0V | 1 | μA | ||
Corrente di perdita del Portone-corpo |
IGSS |
V GS=±4.5V, V DS=0V | ±200 | Na | ||
V GS=±10V, VDS=0V | ±10 | uA | ||||
Tensione della soglia del portone | V GS (Th) | V DS=V GS, μA ID=250 | 0,6 | 0,75 | 1,2 | V |
Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte |
RDS (SOPRA) |
V GS=4.5V, ID=6.5A | 14 | 20 | Ω di m. | |
V GS=4V, ID=6A | 16 | 22 | Ω di m. | |||
V GS=3.1V, ID=5.5A | 19 | 26 | Ω di m. | |||
V GS=2.5V, ID=5.5A | 24 | 28 | Ω di m. | |||
Transconduttanza di andata | gFS | V DS=10V, I D=6.5A | 6,6 | S | ||
Capacità dell'input | Clss | 650 | PF | |||
Capacità di uscita | Coss | 360 | PF | |||
Capacità inversa di trasferimento | Crss | 154 | PF | |||
Tempo di ritardo d'apertura | il TD (sopra) | 11 | 22 | NS | ||
Tempo di aumento d'apertura |
r t |
12 | 28 | NS | ||
Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (fuori) | 35 | 73 | NS | ||
Tempo di caduta di giro-Fuori |
f t |
33 | 65 | NS | ||
Tassa totale del portone | Qg |
V DS=10V, I D=7A, V GS=4.5V |
11 | 16 | nC | |
Tassa di Portone-fonte | Qgs | 2,5 | nC | |||
Tassa dello Portone-scolo | Qgd | 3,2 | nC | |||
Tensione di andata del diodo (nota 3) | V DEVIAZIONE STANDARD | V GS=0V, IS=1.5A | 0,84 | 1,2 | V |
Parametro | Simbolo | Circostanza | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | LA BV DSS | V μA di GS=0V ID=250 | 20 | V | ||
Corrente zero dello scolo di tensione del portone | IDSS | V DS=20V, V GS=0V | 1 | μA | ||
Corrente di perdita del Portone-corpo |
IGSS |
V GS=±4.5V, V DS=0V | ±200 | Na | ||
V GS=±10V, VDS=0V | ±10 | uA | ||||
Tensione della soglia del portone | V GS (Th) | V DS=V GS, μA ID=250 | 0,6 | 0,75 | 1,2 | V |
Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte |
RDS (SOPRA) |
V GS=4.5V, ID=6.5A | 14 | 20 | Ω di m. | |
V GS=4V, ID=6A | 16 | 22 | Ω di m. | |||
V GS=3.1V, ID=5.5A | 19 | 26 | Ω di m. | |||
V GS=2.5V, ID=5.5A | 24 | 28 | Ω di m. | |||
Transconduttanza di andata | gFS | V DS=10V, I D=6.5A | 6,6 | S | ||
Capacità dell'input | Clss | 650 | PF | |||
Capacità di uscita | Coss | 360 | PF | |||
Capacità inversa di trasferimento | Crss | 154 | PF | |||
Tempo di ritardo d'apertura | il TD (sopra) | 11 | 22 | NS | ||
Tempo di aumento d'apertura |
r t |
12 | 28 | NS | ||
Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (fuori) | 35 | 73 | NS | ||
Tempo di caduta di giro-Fuori |
f t |
33 | 65 | NS | ||
Tassa totale del portone | Qg |
V DS=10V, I D=7A, V GS=4.5V |
11 | 16 | nC | |
Tassa di Portone-fonte | Qgs | 2,5 | nC | |||
Tassa dello Portone-scolo | Qgd | 3,2 | nC | |||
Tensione di andata del diodo (nota 3) | V DEVIAZIONE STANDARD | V GS=0V, IS=1.5A | 0,84 | 1,2 | V |
NOTE:
1. valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
2. superficie montata FR4 sul bordo, sec del ≤ 10 di t.
3. Prova di impulso: Μs del ≤ 300 di larghezza di impulso, ≤ 2% del duty cycle.
4. Garantito da progettazione, non conforme a prova di produzione.
Attenzione
1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.
2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.
3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.
4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.
5, nel caso in cui qualsiasi prodotti della microelettronica di APM (dati tecnici compresi, servizi) descritti o contenuti qui siano controllati sotto c'è ne delle leggi e dei regolamenti di controllo delle esportazioni locali applicabili, tali prodotti non devono essere esportati senza ottenere la licenza di esportazione dalle autorità responsabili conformemente alla legge di cui sopra.
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Persona di contatto: David