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Dettagli:
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| Number di modello:: | AP4434AGYT-HF | Tipo:: | LOGICA ICS |
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| Marca commerciale:: | Marca originale | Pacchetto:: | DIP/SMD |
| Circostanza:: | Nuovo 100% AP4434AGYT-HF | Media disponibili:: | scheda |
| Evidenziare: | transistor di commutazione del diodo di 3.13W IGBT,transistor di commutazione del diodo di 40A IGBT,MOSFET IGBT DI AP4434AGYT-HF |
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AP4434AGYT-HF PMPAK (commutazione originale di YT MOSFET/IGBT/Diode/transistor IC scheggia
Descrizione
Le serie di AP4434A provengono da potere avanzato hanno innovato progettazione e tecnologia della trasformazione del silicio di raggiungere la su resistenza possibile più bassa e la prestazione di commutazione veloce. Fornisce al progettista un dispositivo efficiente estremo per uso in una vasta gamma di applicazioni di potere.
Il pacchetto di PMPAK® 3x3 è speciale per l'applicazione di conversione di tensione facendo uso della tecnica infrarossa standard di riflusso con il dissipatore di calore della parte raggiungere la buona prestazione termica.
Valutazioni massime assolute
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione di Scolo-fonte | 20 | V |
| VGS | Tensione di Portone-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Corrente continua3, VGS @ 4.5V dello scolo | 10,8 | |
| ID@TA =70℃ | Corrente continua3, VGS @ 4.5V dello scolo | 8,6 | |
| IDM | Corrente pulsata1dello scolo | 40 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipazione di potere totale3 | 3,13 | W |
| TSTG | Gamma di temperature di stoccaggio | -55 - 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di temperature di funzionamento della giunzione | -55 - 150 | ℃ |
dati hermal
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| Rthj-c | Resistenza termica massima, Giunzione-caso | 4 | ℃/W |
| Rthj-a | Resistenza termica massima,3Giunzione-ambientali | 40 | ℃/W |
AP4434AGYT-H
Characteristics@Tj elettrico =25oC (salvo specificazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAZIONE =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOPRA) | Su resistenza statica2di Scolo-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAZIONE =7A | - | - | 18 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAZIONE =4A | - | - | 25 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICAZIONE =1A | - | - | 34 | mΩ | ||
| VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250UA | 0,25 | - | 1 | V |
| gfs | Transconduttanza di andata | VDS =10V, IDENTIFICAZIONE =7A | - | 29 | - | S |
| IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | uA |
| IGSS | Perdita di Portone-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
| Qg | Tassa totale del portone |
IDENTIFICAZIONE =7A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 12,5 | 20 | nC |
| Qgs | Tassa di Portone-fonte | - | 1,5 | - | nC | |
| Qgd | Tassa dello Portone-scolo («Miller») | - | 4,5 | - | nC | |
| il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura |
IDENTIFICAZIONE =1A RG =3.3Ω DI VDS =10V VGS =5V |
- | 10 | - | NS |
| TR | Tempo di aumento | - | 10 | - | NS | |
| il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-fuori | - | 24 | - | NS | |
| tf | Tempo di caduta | - | 8 | - | NS | |
| Ciss | Capacità introdotta |
VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 800 | 1280 | PF |
| Coss | Capacità di uscita | - | 165 | - | PF | |
| Crss | Capacità inversa di trasferimento | - | 145 | - | PF | |
| Rg | Resistenza del portone | f=1.0MHz | - | 1,5 | 3 | Ω |
Diodo dello Fonte-scolo
| Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
| VSD | Trasmetta su tensione2 | È =2.6A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Tempo di recupero inverso |
È =7A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 20 | - | NS |
| Qrr | Tassa inversa di recupero | - | 10 | - | nC |
Note:
larghezza 1.Pulse limitata dalla temperatura di giunzione massima.
prova 2.Pulse
3.Surface ha montato su 1 in cuscinetto del rame2 2oz FR4 del bordo, t<> 10sec; 210oC/W una volta montato sul cuscinetto di rame minimo.
Persona di contatto: David
