Dettagli:
|
Identificazione del prodotto: | Identificazione del prodotto | Caratteristica: | Tensione di andata bassa |
---|---|---|---|
Tipo: | Diodo di commutazione | Palladio: | 150mW |
RθJA: | 833℃/W | TJ: | 150℃ |
Evidenziare: | diodo di commutazione doppio di serie,diodo Zener doppio |
Diodo di commutazione 1SS184
Punto solido = verde che modella dispositivo composto, non ne se, il dispositivo normale.
Valutazioni massime @Ta=25℃
Parametro | Simbolo | Limite | Unità |
Tensione inversa di punta non ripetitiva | VRM | 85 | V |
Tensione di didascalia di CC | VR | 80 | V |
Corrente continua di andata | IFM | 300 | mA |
La media ha rettificato la corrente d'uscita | IO | 100 | mA |
Punta di corrente di andata di punta non ripetitiva @t=8.3ms | IFSM | 2,0 | A |
Dissipazione di potere | PD | 150 | Mw |
Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale | RθJA | 833 | ℃/W |
Temperatura di giunzione | TJ | 150 | ℃ |
Gamma di temperature di stoccaggio | TSTG | -55~+150 | ℃ |
Caratteristiche elettriche @Ta=25℃
Parametro | Simbolo | Min | Tipo | Massimo | Unità | Circostanze |
Tensione di ripartizione inversa | V (BR) | 80 | V | IR=100μA | ||
Tensione di andata |
VF1 | 0,60 | V | IF=1mA | ||
VF2 | 0,72 | V | IF=10mA | |||
VF3 | 0,9 | 1,2 | V | IF=100mA | ||
Corrente inversa |
IR1 | 0,1 | uA | VR=30V | ||
IR2 | 0,5 | uA | VR=80V | |||
Capacità fra i terminali | CT | 0,9 | 3,0 | PF | VR=0, f=1MHz | |
Tempo di recupero inverso | t rr | 1,6 | 4,0 | NS | IF=IR=10mA, Irr=0.1×IR |
Persona di contatto: David