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Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
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Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127

Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127
Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127

Grande immagine :  Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: TIP127
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127

descrizione
Tipo: Triodo a semiconduttore Transistor del Mosfet di potere: Plastica TO-126 incapsulata
Identificazione del prodotto: TIP122 TIP127 Caratteristica: Alto guadagno corrente di CC
Dissipazione di potere del collettore: 1.25W Temperatura di giunzione: 150℃
Evidenziare:

triodo dei componenti elettronici

,

commutatore a semiconduttore

TO-126 Plastica-incapsulano i transistor

 

 

 

Transistor di TIP122 Darlington (NPN)

Transistor di TIP127 Darlington (PNP)

 

 

CARATTERISTICA
 
Transistor complementari del silicio di media potenza
 
 
TO-126
 

1. EMETTITORE

 

 2. COLLETTORE

 

3. BASE

 

 

 

SEGNO

 

 

TIP122, codice di TIP127=Device

 

Punto solido = verde che modella dispositivo composto, non ne se, il dispositivo normale XX=Code

 

Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127 0

 

 

 

Circuito equivalente

 

Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127 1

 

 

INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE

Numero del pezzo Pacchetto Metodo dell'imballaggio Quantità del pacchetto
TIP122 TO-126 Massa 200pcs/Bag
TIP127 TO-126 Massa 200pcs/Bag
TIP122-TU TO-126 Metropolitana 60pcs/Tube
TIP127-TU TO-126 Metropolitana 60pcs/Tube

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (tum =25℃ salvo indicazione contraria)

Simbolo Parametro TIP122 TIP127 Unità
VCBO Tensione della Collettore-base 100 -100 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore 100 -100 V
VEBO Tensione emittenta-base 5 -5 V
IC Corrente di collettore - continua 5 -5 A
PC * Dissipazione di potere del collettore 1,25 W
RθJA Giunzione di resistenza termica ad ambientale 100 ℃/W
RθJc Giunzione di resistenza termica al caso 8,33 ℃/W
TJ Temperatura di giunzione 150
Tstg Temperatura di stoccaggio -55~+150

 

 


CARATTERISTICHE ELETTRICHE

 

Tum =25 Š salvo specificazione contraria

 

TIP122 NPN
Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Massimo Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC=1mA, CIOÈ =0 100   V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore VCEO (SUS) IC=30mA, IB=0 100   V
Corrente di taglio di collettore ICBO VCB=100V, CIOÈ =0   0,2 mA
Corrente di taglio di collettore ICEO VCE=50 V, IB=0   0,5 mA
Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB=5 V, IC=0   2 mA

 

Guadagno corrente di CC

hFE (1) VCE= 3V, IC=0.5A 1000    
hFE (2) VCE= 3V, IC=3 A 1000 12000  

 

tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore

 

VCE (seduto)

IC=3A, IB=12mA   2

 

V

IC=5 A, IB=20mA   4
Tensione dell'emettitore di base VBE VCE=3V, IC=3 A   2,5 V
Capacità di uscita Pannocchia VCB=10V, CIOÈ =0, f=0.1MHz   200 PF

 

 

TIP127 PNP
Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Massimo Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC=-1mA, CIOÈ =0 -100   V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore VCEO (SUS) IC=-30mA, IB=0 -100   V
Corrente di taglio di collettore ICBO VCB=-100V, CIOÈ =0   -0,2 mA
Corrente di taglio di collettore ICEO VCE=-50 V, IB=0   -0,5 mA
Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB=-5 V, IC=0   -2 mA

 

Guadagno corrente di CC

hFE (1) VCE=-3V, IC=-0.5A 1000    
hFE (2) VCE=-3V, IC=-3A 1000 12000  

 

tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore

 

VCE (seduto)

IC=-3A, IB=-12mA   -2

 

V

IC=-5 A, IB=-20mA   -4
Tensione dell'emettitore di base VBE VCE=-3V, IC=-3 A   -2,5 V
Capacità di uscita Pannocchia VCB=-10V, CIOÈ =0, f=0.1MHz   300 PF

* questa prova è eseguita senza il dissipatore di calore a Ta=25℃.

 

 

Caratteristiche tipicheTransistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127 2

Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127 3

Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127 4

Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127 5

Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127 6

 

 

 

Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127 7

 


Dimensioni del profilo del pacchetto TO-126

 

 

 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
  Min Massimo Min Massimo
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPI
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

Transistor incapsulati plastica del triodo TO-126 a semiconduttore di TIP122 TIP127 8

 

Dettagli di contatto
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