Dettagli:
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Tipo: | Triodo a semiconduttore | Transistor del Mosfet di potere: | Plastica TO-126 incapsulata |
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Identificazione del prodotto: | TIP122 TIP127 | Caratteristica: | Alto guadagno corrente di CC |
Dissipazione di potere del collettore: | 1.25W | Temperatura di giunzione: | 150℃ |
Evidenziare: | triodo dei componenti elettronici,commutatore a semiconduttore |
TO-126 Plastica-incapsulano i transistor
Transistor di TIP122 Darlington (NPN)
Transistor di TIP127 Darlington (PNP)
1. EMETTITORE
2. COLLETTORE
3. BASE
SEGNO
TIP122, codice di TIP127=Device
Punto solido = verde che modella dispositivo composto, non ne se, il dispositivo normale XX=Code
Circuito equivalente
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
Numero del pezzo | Pacchetto | Metodo dell'imballaggio | Quantità del pacchetto |
TIP122 | TO-126 | Massa | 200pcs/Bag |
TIP127 | TO-126 | Massa | 200pcs/Bag |
TIP122-TU | TO-126 | Metropolitana | 60pcs/Tube |
TIP127-TU | TO-126 | Metropolitana | 60pcs/Tube |
Simbolo | Parametro | TIP122 | TIP127 | Unità |
VCBO | Tensione della Collettore-base | 100 | -100 | V |
VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 100 | -100 | V |
VEBO | Tensione emittenta-base | 5 | -5 | V |
IC | Corrente di collettore - continua | 5 | -5 | A |
PC * | Dissipazione di potere del collettore | 1,25 | W | |
RθJA | Giunzione di resistenza termica ad ambientale | 100 | ℃/W | |
RθJc | Giunzione di resistenza termica al caso | 8,33 | ℃/W | |
TJ | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ | |
Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55~+150 | ℃ |
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
TIP122 NPN | |||||
Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Massimo | Unità |
tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC=1mA, CIOÈ =0 | 100 | V | |
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | VCEO (SUS) | IC=30mA, IB=0 | 100 | V | |
Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB=100V, CIOÈ =0 | 0,2 | mA | |
Corrente di taglio di collettore | ICEO | VCE=50 V, IB=0 | 0,5 | mA | |
Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=5 V, IC=0 | 2 | mA | |
Guadagno corrente di CC |
hFE (1) | VCE= 3V, IC=0.5A | 1000 | ||
hFE (2) | VCE= 3V, IC=3 A | 1000 | 12000 | ||
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore |
VCE (seduto) |
IC=3A, IB=12mA | 2 |
V |
|
IC=5 A, IB=20mA | 4 | ||||
Tensione dell'emettitore di base | VBE | VCE=3V, IC=3 A | 2,5 | V | |
Capacità di uscita | Pannocchia | VCB=10V, CIOÈ =0, f=0.1MHz | 200 | PF |
TIP127 PNP | |||||
Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Massimo | Unità |
tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC=-1mA, CIOÈ =0 | -100 | V | |
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | VCEO (SUS) | IC=-30mA, IB=0 | -100 | V | |
Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB=-100V, CIOÈ =0 | -0,2 | mA | |
Corrente di taglio di collettore | ICEO | VCE=-50 V, IB=0 | -0,5 | mA | |
Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=-5 V, IC=0 | -2 | mA | |
Guadagno corrente di CC |
hFE (1) | VCE=-3V, IC=-0.5A | 1000 | ||
hFE (2) | VCE=-3V, IC=-3A | 1000 | 12000 | ||
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore |
VCE (seduto) |
IC=-3A, IB=-12mA | -2 |
V |
|
IC=-5 A, IB=-20mA | -4 | ||||
Tensione dell'emettitore di base | VBE | VCE=-3V, IC=-3 A | -2,5 | V | |
Capacità di uscita | Pannocchia | VCB=-10V, CIOÈ =0, f=0.1MHz | 300 | PF |
* questa prova è eseguita senza il dissipatore di calore a Ta=25℃.
Dimensioni del profilo del pacchetto TO-126
Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
Min | Massimo | Min | Massimo | |
A | 2,500 | 2,900 | 0,098 | 0,114 |
A1 | 1,100 | 1,500 | 0,043 | 0,059 |
b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
c | 0,450 | 0,600 | 0,018 | 0,024 |
D | 7,400 | 7,800 | 0,291 | 0,307 |
E | 10,600 | 11,000 | 0,417 | 0,433 |
e | 2,290 TIPO | 0,090 TIPI | ||
e1 | 4,480 | 4,680 | 0,176 | 0,184 |
h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
L | 15,300 | 15,700 | 0,602 | 0,618 |
L1 | 2,100 | 2,300 | 0,083 | 0,091 |
P | 3,900 | 4,100 | 0,154 | 0,161 |
Φ | 3,000 | 3,200 | 0,118 | 0,126 |
Persona di contatto: David