|
Dettagli:
|
| Tipo: | Transistor di potenza del silicio | Caratteristica: | Su resistenza equivalente bassa |
|---|---|---|---|
| Tensione dell'Collettore-Emettitore: | 60V | Temperatura di stoccaggio: | -55~+150℃ |
| Dissipazione di potere del collettore: | 250mW | Corrente di picco: | 2A |
| Evidenziare: | transistor ad alta frequenza,transistor del mosfet di potere |
||
SOT-23 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor FMMT491 (NPN)
Su resistenza equivalente bassa
VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VCBO | Tensione della Collettore-base | 80 | V |
| VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 60 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | 5 | V |
| IC | Corrente di collettore | 1 | A |
| ICM | Corrente di picco | 2 | A |
| PC | Dissipazione di potere del collettore | 250 | Mw |
| RΘJA | Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale | 500 | ℃/W |
| Tj | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55~+150 | ℃ |
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)
| Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC=100μA, CIOÈ =0 | 80 | V | ||
| tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | V CEO (DEL BR)1 | IC=10mA, IB=0 | 60 | V | ||
| Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ =100ΜA, IC=0 | 5 | V | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB=60V, CIOÈ =0 | 0,1 | μA | ||
| Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=4V, IC=0 | 0,1 | μA | ||
Guadagno corrente di CC | hFE (1) | VCE=5V, IC=1mA | 100 | |||
| hFE (2) 1 | VCE=5V, IC=500mA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) 1 | VCE=5V, IC=1A | 80 | ||||
| hFE (4) 1 | VCE=5V, IC=2A | 30 | ||||
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | VCE (seduto) 1 1 | IC=500mA, IB=50mA | 0,25 | V | ||
| VCE (seduto) 2 1 | IC=1A, IB=100mA | 0,5 | V | |||
| Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) 1 | IC=1A, IB=100mA | 1,1 | V | ||
| Tensione dell'emettitore di base | 1 VBE | VCE=5V, IC=1A | 1 | V | ||
| Frequenza di transizione | fT | VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz | 150 | Megahertz | ||
| Capacità di uscita del collettore | Pannocchia | VCB=10V, f=1MHz | 10 | PF |
Misurato nelle circostanze pulsate, impulso width=300μs, dovere cycle≤2%.
Characterisitics tipico
Dimensioni del profilo del pacchetto
| Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
| Min | Massimo | Min | Massimo | |
| A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TIPI | 0,037 TIPI | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 RIFERIMENTI | 0,022 RIFERIMENTI | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Persona di contatto: David
