Dettagli:
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Tensione della Collettore-base di VCBO: | -80 V | Nome del prodotto: | Triodo a semiconduttore |
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Evidenziare: | transistor ad alta frequenza,transistor del mosfet di potere |
SOT-23 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor FMMT591 (PNP)
Su resistenza equivalente bassa
VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
VCBO | Tensione della Collettore-base | -80 | V |
VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | -60 | V |
VEBO | Tensione emittenta-base | -5 | V |
IC | Corrente di collettore | -1 | A |
ICM | Corrente di picco | -2 | A |
PC | Dissipazione di potere del collettore | 250 | Mw |
RΘJA | Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale | 500 | ℃/W |
Tj | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55~+150 | ℃ |
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)
Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC=-100μA, CIOÈ =0 | -80 | V | ||
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | V CEO (DEL BR)1 | IC=-10mA, IB=0 | -60 | V | ||
Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB=-60V, CIOÈ =0 | -0,1 | μA | ||
Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=-4V, IC=0 | -0,1 | μA | ||
Guadagno corrente di CC | hFE (1) | VCE=-5V, IC=-1mA | 100 | |||
hFE (2) 1 | VCE=-5V, IC=-500mA | 100 | 300 | |||
hFE (3) 1 | VCE=-5V, IC=-1A | 80 | ||||
hFE (4) 1 | VCE=-5V, IC=-2A | 15 | ||||
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | VCE (seduto) 1 1 | IC=-500mA, IB=-50mA | -0,3 | V | ||
VCE (seduto) 2 1 | IC=-1A, IB=-100mA | -0,6 | V | |||
Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) 1 | IC=-1A, IB=-100mA | -1,2 | V | ||
Tensione dell'emettitore di base | 1 VBE | VCE=-5V, IC=-1A | -1 | V | ||
Frequenza di transizione | fT | VCE=-10V, IC=-50mA, f=100MHz | 150 | Megahertz | ||
Capacità di uscita del collettore | Pannocchia | VCB=-10V, f=1MHz | 10 | PF |
Misurato nelle circostanze pulsate, impulso width=300μs, dovere cycle≤2%.
Characterisitics tipico
Dimensioni del profilo del pacchetto
Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
Min | Massimo | Min | Massimo | |
A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
e | 0,950 TIPI | 0,037 TIPI | ||
e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
L | 0,550 RIFERIMENTI | 0,022 RIFERIMENTI | ||
L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Persona di contatto: David