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I transistor di potenza di punta di MMBT4401 SOT-23 digiunano tensione emittenta-base di commutazione 6 V

Name: I transistor di potenza di punta di MMBT4401 SOT-23 digiunano tensione emittenta-base di commutazione 6 V
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: MMBT4401

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(14)

Certificazione

Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni

Rassegne del cliente

la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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I transistor di potenza di punta di MMBT4401 SOT-23 digiunano tensione emittenta-base di commutazione 6 V

Grande immagine : I transistor di potenza di punta di MMBT4401 SOT-23 digiunano tensione emittenta-base di commutazione 6 V

Dettagli:

Luogo di origine:	Shenzhen Cina
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificazione:	RoHS、SGS
Numero di modello:	MMBT4401

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1000-2000 pc
Prezzo:	Negotiated
Imballaggi particolari:	Inscatolato
Tempi di consegna:	1 - 2 settimane
Termini di pagamento:	L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione:	18,000,000PCS/al giorno

Contatto

I transistor di potenza di punta di MMBT4401 SOT-23 digiunano tensione emittenta-base di commutazione 6 V

descrizione

Temperatura di stoccaggio:

-55-150℃

Transistor del Mosfet di potere:

Transistor di potenza di punta SOT-23

Materiale:

silicio

Tipo:

Transistor del triodo

Evidenziare:

transistor del pnp di punta

transistor del pnp di alto potere

SOT-23 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor FMMT491 (NPN)

CARATTERISTICA

Transistor di commutazione

Segno: 2X

VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)

Simbolo	Parametro	Valore	Unità
VCBO	Tensione della Collettore-base	60	V
VCEO	Tensione dell'Collettore-emettitore	40	V
VEBO	Tensione emittenta-base	6	V
I_C	Corrente di collettore	600	mA
P_C	Dissipazione di potere del collettore	300	Mw
RΘJA	Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale	417	℃/W
T_J	Temperatura di giunzione	150	℃
Tstg	Temperatura di stoccaggio	-55~+150	℃

CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)

Parametro	Simbolo	Condizioni di prova	Min	Tipo	Massimo	Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base	V (BR) CBO	I_C=100μA, CIOÈ =0	60			V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore	CEO V (DEL BR)	I_C=1mA, I_B=0	40			V
Tensione di ripartizione emittenta-base	V (BR) EBO	CIOÈ =100ΜA, I_C=0	6			V
Corrente di taglio di collettore	ICBO	V_CB=50V, CIOÈ =0			0,1	μA
Corrente di taglio di collettore	ICEX	VCE=35V, VEB=0.4V			0,1	μA
Corrente di taglio dell'emettitore	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			0,1	μA
Guadagno corrente di CC	hFE1	V_CE=1V, I_C=0.1mA	20
	hFE2	V_CE=1V, I_C=1mA	40
	hFE3	V_CE=1V, I_C=10mA	80
	hFE4	V_CE=1V, I_C=150mA	100		300
	hFE5	V_CE=2V, I_C=500mA	40
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore	VCE (seduto)	I_C=150mA, I_B=15mA			0,4	V
		I_C=500mA, I_B=50mA			0,75	V
Tensione di saturazione dell'emettitore di base	VBE (seduto)	I_C=150mA, I_B=15mA			0,95	V
		I_C=500mA, I_B=50mA			1,2	V
Frequenza di transizione	f_T	V_CE=10V, I_C=20mA, f =100MHz	250			Megahertz
Tempo di ritardo	t_d	VCC=30V, VBE (fuori) =-2V IC=150mA, IB1=15mA			15	NS
Tempo di aumento	t_r				20	NS
Tempo di immagazzinamento	t_s	VCC=30V, IC=150mA IB1=IB2=15mA			225	NS
Tempo di caduta	t_f				60	NS

Misurato nelle circostanze pulsate, impulso width=300μs, dovere cycle≤2%.

Characterisitics tipico

I transistor di potenza di punta di MMBT4401 SOT-23 digiunano tensione emittenta-base di commutazione 6 V 0

I transistor di potenza di punta di MMBT4401 SOT-23 digiunano tensione emittenta-base di commutazione 6 V 1

I transistor di potenza di punta di MMBT4401 SOT-23 digiunano tensione emittenta-base di commutazione 6 V 2

I transistor di potenza di punta di MMBT4401 SOT-23 digiunano tensione emittenta-base di commutazione 6 V 3

Dimensioni del profilo del pacchetto

Simbolo	Dimensioni nei millimetri		Dimensioni nei pollici
	Min	Massimo	Min	Massimo
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TIPI		0,037 TIPI
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 RIFERIMENTI		0,022 RIFERIMENTI
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

I transistor di potenza di punta di MMBT4401 SOT-23 digiunano tensione emittenta-base di commutazione 6 V 4

Prodotto Tag:

Persona di contatto: David

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