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A42 transistor di potenza del silicio NPN, transistor di potenza di NPN a corrente forte

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

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A42 transistor di potenza del silicio NPN, transistor di potenza di NPN a corrente forte

A42 transistor di potenza del silicio NPN, transistor di potenza di NPN a corrente forte
A42 transistor di potenza del silicio NPN, transistor di potenza di NPN a corrente forte

Grande immagine :  A42 transistor di potenza del silicio NPN, transistor di potenza di NPN a corrente forte

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: A42
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

A42 transistor di potenza del silicio NPN, transistor di potenza di NPN a corrente forte

descrizione
Tensione della Collettore-Base: 310V Tensione emittenta-base: 5V
Tstg: -55~+150℃ Materiale: silicio
Corrente di collettore: 600 mA
Evidenziare:

transistor ad alta frequenza

,

transistor del mosfet di potere

SOT-89-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor A42 (NPN)

 

 

CARATTERISTICA
 

Tensione di saturazione bassa dell'Collettore-emettitore

Alta tensione di ripartizione

 

Segno: D965A

 

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)
 

Simbolo Parametro Valore Unità
VCBO Tensione della Collettore-base 310 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore 305 V
VEBO Tensione emittenta-base 5 V
IC Corrente di collettore - continua 200 mA
ICM Corrente di collettore - pulsata 500 mA
PC Dissipazione di potere del collettore 500 Mw
RθJA Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale 250 ℃/W
TJ Temperatura di giunzione 150
Tstg Temperatura di stoccaggio -55~+150

 
 
 
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)
 

Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Tipo Massimo Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC=100ΜA, CIOÈ =0 310     V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore CEO V (DEL BR) IC=1mA, IB=0 305     V
Tensione di ripartizione emittenta-base V (BR) EBO CIOÈ =100ΜA, IC=0 5     V

 

Corrente di taglio di collettore

ICBO VCB=200V, CIOÈ =0     0,25 µA
 

 

ICEX

VCE=100V, VX=5V     5 µA
    VCE=300V, VX=5V     10 µA
Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 µA

 

Guadagno corrente di CC

hFE (1) VCE=10V, IC=1mA 60      
  hFE (2) VCE=10V, IC=10mA 100   300  
  hFE (3) VCE=10V, IC=30mA 75      
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore VCE (seduto) IC=20mA, IB=2mA     0,2 V
Tensione di saturazione dell'emettitore di base VBE (seduto) IC=20mA, IB=2mA     0,9 V
Frequenza di transizione fT VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz 50     Megahertz

 

 

 
 

 Caratteristiche tipiche

 

A42 transistor di potenza del silicio NPN, transistor di potenza di NPN a corrente forte 0

A42 transistor di potenza del silicio NPN, transistor di potenza di NPN a corrente forte 1

A42 transistor di potenza del silicio NPN, transistor di potenza di NPN a corrente forte 2

 

 

 

 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
  Min Massimo Min Massimo
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 Rif. 0,061 Rif.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TIPO. 0,060 TIPI.
e1 3,000 TIPO. 0,118 TIPI.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
A42 transistor di potenza del silicio NPN, transistor di potenza di NPN a corrente forte 3
 

 

Disposizione del cuscinetto suggerita SOT-89-3L

 

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Nastro e bobina di SOT-89-3L
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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: David

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