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Dettagli:
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| VCBO: | -160V | VCEO: | -150V |
|---|---|---|---|
| VEBO: | -5V | Utilizzo: | Componenti elettronici |
| TJ: | 150Š | Case: | Nastro/vassoio/bobina |
| Evidenziare: | transistor ad alta frequenza,transistor dell'interruttore di accensione |
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TO-92 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor 2N5401 (PNP)
Commutazione ed amplificazione di Ÿ in alta tensione
Applicazioni di Ÿ quale telefonia
Ÿ a corrente debole
Alta tensione di Ÿ
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
| Numero del pezzo | Pacchetto | Metodo dell'imballaggio | Quantità del pacchetto |
| 2N5401 | TO-92 | Massa | 1000pcs/Bag |
| 2N5401-TA | TO-92 | Nastro | 2000pcs/Box |
VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VCBO | Tensione della Collettore-base | -160 | V |
| VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | -150 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | -5 | V |
| IC | Corrente di collettore | -0,6 | A |
| PC | Dissipazione di potere del collettore | 625 | Mw |
| R0 JA | Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale | 200 | Š/W |
| TJ | Temperatura di giunzione | 150 | Š |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55~+150 | Š |
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
| Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC= -0.1MA, CIOÈ =0 | -160 | V | ||
| tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | CEO V (DEL BR) | IC=-1mA, IB=0 | -150 | V | ||
| Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ =-0.01MA, IC=0 | -5 | V | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB=-120V, CIOÈ =0 | -50 | Na | ||
| Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=-3V, IC=0 | -50 | Na | ||
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Guadagno corrente di CC |
hFE (1) | VCE=-5V, IC=-1mA | 80 | |||
| hFE (2) | VCE=-5V, IC=-10mA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) | VCE=-5V, IC=-50mA | 50 | ||||
| tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | VCE (seduto) | IC=-50mA, IB=-5mA | -0,5 | V | ||
| Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) | IC=-50mA, IB=-5mA | -1 | V | ||
| Frequenza di transizione | fT | VCE=-5V, IC=-10mA, f =30MHz | 100 | 300 | Megahertz |
| RANGO | A | B | C |
| GAMMA | 100-150 | 150-200 | 200-300 |
Caratteristiche tipiche
Dimensioni del profilo del pacchetto
| Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
| Min | Massimo | Min | Massimo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPI | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
TO-92 7DSH DQG 5HHO
Persona di contatto: David
