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Dettagli:
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| Dissipazione di potere del collettore: | 1.25W | VCEO: | -30V |
|---|---|---|---|
| VEBO: | -6V | Nome del prodotto: | tipo del triodo a semiconduttore |
| TJ: | 150℃ | Tipo: | Transistor del triodo |
| Evidenziare: | transistor del pnp di punta,transistor del pnp di alto potere |
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TO-126 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor B772 (PNP)
Commutazione a bassa velocità
SEGNO
Codice di B772=Device
Punto solido = verde che modella dispositivo composto, non ne se, il dispositivo normale XX=Code
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
| Numero del pezzo | Pacchetto | Metodo dell'imballaggio | Quantità del pacchetto |
| B772 | TO-126 | Massa | 200pcs/Bag |
| B772-TU | TO-126 | Metropolitana | 60pcs/Tube |
VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VCBO | Tensione della Collettore-base | -40 | V |
| VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | -30 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | -6 | V |
| IC | Corrente di collettore - continua | -3 | A |
| PC | Dissipazione di potere del collettore | 1,25 | W |
| RӨJA | Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale | 100 | ℃/W |
| TJ | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55-150 | ℃ |
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
| Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC=-100μA, CIOÈ =0 | -40 | V | ||
| tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | CEO V (DEL BR) | IC= -10MA, IB=0 | -30 | V | ||
| Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ = -100ΜA, IC=0 | -6 | V | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB= -40V, CIOÈ =0 | -1 | μA | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICEO | VCE=-30V, IB=0 | -10 | μA | ||
| Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=-6V, IC=0 | -1 | μA | ||
| Guadagno corrente di CC | hFE | VCE= -2V, IC= -1A | 60 | 400 | ||
| tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | VCE (seduto) | IC=-2A, IB= -0.2A | -0,5 | V | ||
| Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) | IC=-2A, IB= -0.2A | -1,5 | V | ||
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Frequenza di transizione |
fT |
VCE= -5V, IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
Megahertz |
| Rango | R | O | Y | Il GR |
| Gamma | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Dimensioni del profilo del pacchetto
| Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
| Min | Massimo | Min | Massimo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPI | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Persona di contatto: David
