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Commutazione a bassa velocità incapsulata plastica B772 dei transistor di potenza TO-251-3L di punta di PNP

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

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Commutazione a bassa velocità incapsulata plastica B772 dei transistor di potenza TO-251-3L di punta di PNP

Commutazione a bassa velocità incapsulata plastica B772 dei transistor di potenza TO-251-3L di punta di PNP
Commutazione a bassa velocità incapsulata plastica B772 dei transistor di potenza TO-251-3L di punta di PNP

Grande immagine :  Commutazione a bassa velocità incapsulata plastica B772 dei transistor di potenza TO-251-3L di punta di PNP

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: B772
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Commutazione a bassa velocità incapsulata plastica B772 dei transistor di potenza TO-251-3L di punta di PNP

descrizione
Tensione della VoltageCollector-base della Collettore-base: 40V Tensione dell'Collettore-Emettitore: 30V
Tensione emittenta-base: -6V Nome del prodotto: tipo del triodo a semiconduttore
TJ: 150℃ Tipo: Transistor del triodo
Evidenziare:

transistor del pnp di punta

,

transistor di serie di punta

TRANSISTOR dei transistor Plastica-incapsulato TO-126 B772 (PNP)

 

 

CARATTERISTICA
 


Commutazione a bassa velocità
 

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
 

SimboloParametroValoreUnità
VCBOTensione della Collettore-base-40V
VCEOTensione dell'Collettore-emettitore-30V
VEBOTensione emittenta-base-6V
ICCorrente di collettore - continua-3A
PCDissipazione di potere del collettore1,25W
RӨJAResistenza termica, giunzione ad ambientale100℃/W
TJTemperatura di giunzione150
TstgTemperatura di stoccaggio-55-150

 
 
 

 


CARATTERISTICHE ELETTRICHE

 

 

Tum =25 Š salvo specificazione contraria

ParametroSimboloCondizioni di provaMinTipoMassimoUnità
tensione di ripartizione della Collettore-baseV (BR) CBOIC=-100μA, CIOÈ =0-40  V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitoreCEO V (DEL BR)IC= -10MA, IB=0-30  V
Tensione di ripartizione emittenta-baseV (BR) EBOCIOÈ = -100ΜA, IC=0-6  V
Corrente di taglio di collettoreICBOVCB= -40V, CIOÈ =0  -1μA
Corrente di taglio di collettoreICEOVCE=-30V, IB=0  -10μA
Corrente di taglio dell'emettitoreIEBOVEB=-6V, IC=0  -1μA
Guadagno corrente di CChFEVCE= -2V, IC= -1A60 400 
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitoreVCE (seduto)IC=-2A, IB= -0.2A  -0,5V
Tensione di saturazione dell'emettitore di baseVBE (seduto)IC=-2A, IB= -0.2A  -1,5V

 

Frequenza di transizione

fT

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

 

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAZIONE DELFedi h(2)

RangoROYIl GR
Gamma60-120100-200160-320200-400

 
 
 

 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

SimboloDimensioni nei millimetriDimensioni nei pollici
 MinMassimoMinMassimo
A3,3003,7000,1300,146
A11,1001,4000,0430,055
b0,3800,5500,0150,022
c0,3600,5100,0140,020
D4,3004,7000,1690,185
D13,430 0,135 
E4,3004,7000,1690,185
e1,270 TIPO0,050 TIPI
e12,4402,6400,0960,104
L14,10014,5000,5550,571
0 1,600 0,063
h0,0000,3800,0000,015

 
 
Commutazione a bassa velocità incapsulata plastica B772 dei transistor di potenza TO-251-3L di punta di PNP 0
 
 

Dettagli di contatto
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