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Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN

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Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN

Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN
Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN

Grande immagine :  Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: D882
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno
Contatto

Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN

descrizione
Tensione della VoltageCollector-base della Collettore-base: 40V Tensione dell'Collettore-Emettitore: 30V
Tensione emittenta-base: 6v Transistor del Mosfet di potere: TO-126 Plastica-si incapsulano
Materiale: silicio Tipo: Transistor del triodo
Evidenziare:

transistor di serie di punta

,

transistor del pnp di alto potere

TO-126 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor D882 (NPN)

 

 

CARATTERISTICA
 


Dissipazione di potere

 

 

 

SEGNO

 

Codice di D882=Device

Punto solido = verde che modella dispositivo composto, non ne se, il dispositivo normale XX=Code

Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN 0

 

 

 

 

INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE

Numero del pezzo Pacchetto Metodo dell'imballaggio Quantità del pacchetto
D882 TO-126 Massa 200pcs/Bag
D882-TU TO-126 Metropolitana 60pcs/Tube

 

 

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
 

 

Simbolo Parametro Valore Unità
VCBO Tensione della Collettore-base 40 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore 30 V
VEBO Tensione emittenta-base 6 V
IC Corrente di collettore - continua 3 A
PC Dissipazione di potere del collettore 1,25 W
TJ Temperatura di giunzione 150 ℃
Tstg Temperatura di stoccaggio -55-150 ℃

 
 
 

 


CARATTERISTICHE ELETTRICHE

 

 

Tum =25 Š salvo specificazione contraria

Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Tipo Massimo Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC = 100μA, CIOÈ =0 40     V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore CEO V (DEL BR) IC = 10mA, IB=0 30     V
Tensione di ripartizione emittenta-base V (BR) EBO CIOÈ = 100μA, IC=0 6     V
Corrente di taglio di collettore ICBO VCB= 40 V, CIOÈ =0     1 µA
Corrente di taglio di collettore ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Guadagno corrente di CC hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore VCE (seduto) IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Tensione di saturazione dell'emettitore di base VBE (seduto) IC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Frequenza di transizione

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

  

 

90

  

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAZIONE DELFedi h(2)

Rango R O Y Il GR
Gamma 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Caratteristiche tipiche

 

 
 Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN 1Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN 2Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN 3Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN 4
 

 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
Min Massimo Min Massimo
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPI
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 
 
Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN 5
 
 

Prodotto Tag:

transistor del pnp di alto potere,

transistor di serie di punta,

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Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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