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Dettagli:
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| PC: | 1.25W | Temperatura di giunzione: | ℃ 150 |
|---|---|---|---|
| Temperatura di stoccaggio: | -55-150℃ | Transistor del Mosfet di potere: | TO-251-3L Plastica-si incapsulano |
| Materiale: | silicio | Tipo: | Transistor del triodo |
| Evidenziare: | transistor del pnp di punta,transistor del pnp di alto potere |
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TO-251-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor D882 (NPN)
Dissipazione di potere
VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VCBO | Tensione della Collettore-base | 40 | V |
| VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 30 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | 6 | V |
| IC | Corrente di collettore - continua | 3 | A |
| PC | Dissipazione di potere del collettore | 1,25 | W |
| TJ | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55-150 | ℃ |
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
| Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC = 100μA, CIOÈ =0 | 40 | V | ||
| tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | CEO V (DEL BR) | IC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
| Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB= 40 V, CIOÈ =0 | 1 | µA | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICEO | VCE= 30 V, IB=0 | 10 | µA | ||
| Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 1 | µA | ||
| Guadagno corrente di CC | hFE | VCE= 2 V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
| tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | VCE (seduto) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 0,5 | V | ||
| Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 1,5 | V | ||
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Frequenza di transizione |
fT |
VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz |
90 |
Megahertz |
| Rango | R | O | Y | Il GR |
| Gamma | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Caratteristiche tipiche
Persona di contatto: David
