Dettagli:
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Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | Temperatura di giunzione:: | 150℃ |
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Materiale: | silicio | Numero di modello: | HXY4264 |
Case: | Nastro/vassoio/bobina | Tipo: | Transistor del Mosfet |
Evidenziare: | commutatore del mosfet di logica,driver del mosfet che per mezzo del transistor |
Riassunto del prodotto
VDS | 60V |
Identificazione (a VGS=10V) | 13.5A |
RDS (SOPRA) (a VGS=10V) | < 9=""> |
RDS (SOPRA) (a VGS=4.5V) | < 13=""> |
Descrizione generale
Tecnologia di AlphaSGTTMdi potere della fossa
R bassaDS(SOPRA)
Tassa bassa del portone
Applicazioni
Alimentazione elettrica di alta efficienza
Raddrizzatore secondario di synchronus
Caratteristiche elettriche (T =25°C salvo indicazione contraria)
A. Il valore delθJAdella R è misurato con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con 2oz. Rami, in un ambiente di aria tranquillo con TA =25°C.
il valore in tutta l'applicazione data dipende dalla progettazione specifica del bordo dell'utente.
B. La dissipazione di potere la PD è basata su TJ(max) =150°C, facendo uso della resistenza termica giunzione--ambientale del ≤ 10s.
C. la valutazione ripetitiva, larghezza di impulso limitata dalle valutazioni della temperatura di giunzione TJ(max) =150°C. è basata su bassa frequenza e sui duty cycle per tenere
initialT =25°C.
D. IlθJAdella R è la somma dell'impedenza termica dalla giunzione per condurre ilθJLdella R e da condurre ad ambientale.
E. Le caratteristiche statiche nella figure 1 - 6 sono ottenute facendo uso di <300>
F. Queste curve sono basate sull'impedenza termica giunzione--ambientale cui è misurato con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con
2oz. Rami, presupponendo che una temperatura di giunzione massima di TJ(max) =150°C. la curva di SOA fornisce una singola valutazione di impulso.
G. Il duty cycle 5% della punta massimo, limitato dalla temperatura di giunzione TJ (max) =125°C.
CARATTERISTICHE ELETTRICHE E TERMICHE TIPICHE
Persona di contatto: David