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Mosfet a doppio canale Rs1a di recupero veloce tramite il supporto della superficie di Rs1m

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Mosfet a doppio canale Rs1a di recupero veloce tramite il supporto della superficie di Rs1m

Mosfet a doppio canale Rs1a di recupero veloce tramite il supporto della superficie di Rs1m
Mosfet a doppio canale Rs1a di recupero veloce tramite il supporto della superficie di Rs1m

Grande immagine :  Mosfet a doppio canale Rs1a di recupero veloce tramite il supporto della superficie di Rs1m

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: RS1A
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Mosfet a doppio canale Rs1a di recupero veloce tramite il supporto della superficie di Rs1m

descrizione
Tipo: diodo di raddrizzatore veloce di recupero Caratteristica: Per superficie applicazioni montate
Polarità: La banda di colore denota l'estremità del catodo Peso: 0,002 once, 0,07 grammi
Identificazione del prodotto: FS1A CON FS1M Case: JEDEC DO-214AC ha modellato l'ente di plastica sopra il chip passivato
Evidenziare:

mosfet di modo di potenziamento

,

mosfet doppio del portone

RS1A TRAMITE IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DI RS1M DIGIUNANO RADDRIZZATORE DI RECUPERO


 

CARATTERISTICA
 
Gommino di protezione incorporato, ideale per la disposizione automatizzata
Alta capacità di andata della punta di corrente
Saldatura ad alta temperatura garantita:
250 secondi C/10 ai terminali
Giunzione del chip passivata vetro
Il pacchetto di plastica porta il laboratorio dei sottoscrittori
Classificazione 94V-0 di infiammabilità
Per superficie applicazioni montate
Perdita inversa bassa
 
 
Mosfet a doppio canale Rs1a di recupero veloce tramite il supporto della superficie di Rs1m 0
 
Caso: JEDEC DO-214AC ha modellato l'ente di plastica sopra il chip passivato
Terminali: Lega per saldatura placcata, solderable per MIL-STD-750,
Metodo 2026
Polarità: La banda di colore denota l'estremità del catodo
Posizione di montaggio: C'è ne
Peso: 0,002 once, 0,07 grammi
 
Mosfet a doppio canale Rs1a di recupero veloce tramite il supporto della superficie di Rs1m 1
RS1A TRAMITE IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DI RS1M DIGIUNANO RADDRIZZATORE DI RECUPERO
 
DATI MECCANICI
 
Caso: Corpo di plastica modellato DO-201AD di JEDEC
Terminali: Terminali assiali placcati, solderable per MIL-STD-750,
Metodo 2026
Polarità: La banda di colore denota l'estremità del catodo
Posizione di montaggio: C'è ne
Peso: 0,002 once, 0,07 grammi
 
 
VALUTAZIONI MASSIME E CARATTERISTICHE ELETTRICHE

 

Valutazioni a 25 temperature ambienti di C salvo specificazione contraria. Il carico induttivo di monofase 60Hz a semi onda, resistente o, per la corrente capacitiva del carico riduce le imposte su da 20%.
Mosfet a doppio canale Rs1a di recupero veloce tramite il supporto della superficie di Rs1m 2
 
 
 
Nota:
1. Stato inverso IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A di recupero
2. misurato a 1MHz ed a tensione inversa applicata di CC 4.0V
3. Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale a 0,375" lunghezza del cavo (di 9.5mm), mounte del PWB
 
 
VALUTAZIONI E CURVE CARATTERISTICHE 1N4942 CON 1N4948
 
 
Mosfet a doppio canale Rs1a di recupero veloce tramite il supporto della superficie di Rs1m 3

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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