Richiedere un preventivo |
Casa ProdottiMosfet a doppio canale

RS2A CON RS2M si raddoppiano Mosfet di potere, Mosfet di alta tensione 0,002 once i grammi Grams0.07 di 0,002 once 0,07

Tutti i prodotti

transistor di potenza del mosfet

(118)

Transistor di potenza di punta

(30)

Transistor di potenza del silicio

(19)

Diodo di commutazione doppio

(15)

Transistor di effetto del giacimento del MOS

(29)

Mosfet a doppio canale

(10)

diodo di raddrizzatore veloce di recupero

(6)

diodo Zener di potere

(6)

raddrizzatore a ponte di schottky

(10)

diodo di raddrizzatore ad alta tensione

(15)

Triodo a semiconduttore

(9)

Stabilizzatore IC di tensione

(14)
Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

Sono ora online in chat

RS2A CON RS2M si raddoppiano Mosfet di potere, Mosfet di alta tensione 0,002 once i grammi Grams0.07 di 0,002 once 0,07

RS2A CON RS2M si raddoppiano Mosfet di potere, Mosfet di alta tensione 0,002 once i grammi Grams0.07 di 0,002 once 0,07
RS2A CON RS2M si raddoppiano Mosfet di potere, Mosfet di alta tensione 0,002 once i grammi Grams0.07 di 0,002 once 0,07

Grande immagine :  RS2A CON RS2M si raddoppiano Mosfet di potere, Mosfet di alta tensione 0,002 once i grammi Grams0.07 di 0,002 once 0,07

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: RS2A CON RS2M
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno
Contatto

RS2A CON RS2M si raddoppiano Mosfet di potere, Mosfet di alta tensione 0,002 once i grammi Grams0.07 di 0,002 once 0,07

descrizione
Tipo: diodo di raddrizzatore veloce di recupero Caratteristica: Classificazione 94V-0 di infiammabilità
Posizione di montaggio: qualsiasi Peso: 0,002 once, 0,07 grammi
Identificazione del prodotto: RS2A CON RS2M Case: Corpo di plastica modellato DO-41 di JEDEC
Evidenziare:

mosfet di modo di potenziamento

,

mosfet ad alta velocità

RS2A TRAMITE IL SUPPORTO della SUPERFICIE di RS2M DIGIUNANO tensione inversa del RADDRIZZATORE di RECUPERO - 50 - 1000 volt di corrente di andata -2,0 ampèri


 

CARATTERISTICA
Il pacchetto di plastica porta il laboratorio dei sottoscrittori
Classificazione 94V-0 di infiammabilità
Per superficie applicazioni montate
Perdita inversa bassa
Gommino di protezione incorporato, ideale per la disposizione automatizzata
Alta capacità di andata della punta di corrente
Saldatura ad alta temperatura garantita:
250 secondi C/10 ai terminali
Giunzione del chip passivata vetro
 
RS2A CON RS2M si raddoppiano Mosfet di potere, Mosfet di alta tensione 0,002 once i grammi Grams0.07 di 0,002 once 0,07 0
 
 
DATI MECCANICI
 
 
Caso: Corpo di plastica modellato DO-214AC di JEDEC sopra il chip passivato
Terminali: Lega per saldatura placcata, solderable per MIL-STD-750,
Metodo 2026
Polarità: La banda di colore denota l'estremità del catodo
Posizione di montaggio: C'è ne
Peso: 0,002 once, 0,07 grammi
 
 
VALUTAZIONI MASSIME E CARATTERISTICHE ELETTRICHE

 

Valutazioni a 25 temperature ambienti di C salvo specificazione contraria. Il carico induttivo di monofase 60Hz a semi onda, resistente o, per la corrente capacitiva del carico riduce le imposte su da 20%.
RS2A CON RS2M si raddoppiano Mosfet di potere, Mosfet di alta tensione 0,002 once i grammi Grams0.07 di 0,002 once 0,07 1
 
 
 
Nota:
1. Stato inverso IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A di recupero
2. misurato a 1MHz ed a tensione inversa applicata di CC 4.0V
3. Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale a 0,375" lunghezza del cavo (di 9.5mm), mounte del PWB
 
RS2A CON RS2M si raddoppiano Mosfet di potere, Mosfet di alta tensione 0,002 once i grammi Grams0.07 di 0,002 once 0,07 2
 
 
,RS2A CON RS2M si raddoppiano Mosfet di potere, Mosfet di alta tensione 0,002 once i grammi Grams0.07 di 0,002 once 0,07 3
 
 
 

Prodotto Tag:

mosfet di modo di potenziamento,

mosfet ad alta velocità,

mosfet doppio del portone

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

transistor di potenza del mosfet

Transistor del livello logico HXY4616, MOSFET complementare ad alta tensione del transistor 30V

Alta tensione VDS 40V VGS ±20v del transistor di potenza ±20v VGS del Mosfet HXY4616

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | Porcellana buon qualità transistor di potenza del mosfet fornitore. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Lasciate un messaggio

Ti richiameremo presto!