Dettagli:
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Nome del prodotto: | Potere del Mosfet di Manica di N | modello: | AP3N10BI |
---|---|---|---|
Segno: | MA4 | pacco: | SOT23 |
Tensione di VDSDrain-fonte: | 100V | Tensione del rce di VGSGate-Sou: | ±20A |
Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
Tensione 100V del transistor di potenza del Mosfet di Manica di modo N di potenziamento bassa
Potere del Mosfet di Manica di N Funzionamento e caratteristiche
La costruzione del MOSFET di potere è nelle V-configurazioni, come possiamo vedere nella la seguente figura. Così il dispositivo inoltre è chiamato come il V-MOSFET o il V-FET. La v che la forma del MOSFET di potere è tagliata per penetrare dalla superficie del dispositivo è quasi al substrato di N+ al N+, alla P ed alla N – strati. Lo strato di N+ è lo strato molto verniciato con un materiale resistente basso e lo strato di n è uno strato leggermente verniciato con l'alta regione della resistenza.
Caratteristiche di potere del Mosfet di Manica di N
VDS= 100V I D=2.8 A
RDS (SOPRA)< 320m="">
Applicazione di potere del Mosfet di Manica di N
Protezione della batteria
Gruppo di continuità
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
Identificazione del prodotto | Pacchetto | Segno | Qty (PCS) |
AP3N10BI | SOT23 | MA4 | 3000 |
Valutazioni massime assolute (TC=25℃ salvo specificazione contraria)
Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
VDS | Tensione di Scolo-fonte | 100 | V |
VGS | Tensione del rce del portone-Sou | ±20 | V |
ID@TA =25℃ | Corrente continua dello scolo, V GS @ 10V 1 | 2,8 | A |
ID@TA =70℃ | Corrente continua dello scolo, V GS @ 10V 1 | 1 | A |
IDM | Scolo pulsato Current2 | 5 | A |
℃ di PD@TA =25 | Potere totale Dissipation3 | 1 | W |
TSTG | Gamma di temperature di stoccaggio | -55 - 150 | ℃ |
TJ | Gamma di temperature di funzionamento della giunzione | -55 - 150 | ℃ |
RθJA | Resistenza termica 1 Giunzione-ambientale | 125 | ℃/W |
RθJC | Giunzione-caso 1 di resistenza termica | 80 | ℃/W |
Caratteristiche elettriche (℃ di TJ =25, salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Circostanze | Min. | Tipo. | Massimo. | Unità |
BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△TJ | Coefficiente di temperatura di BVDSS | Riferimento a 25℃, ID=1mA | --- | 0,067 | --- | V/℃ |
RDS (SOPRA) | Su resistenza statica di Scolo-fonte | VGS=10V, I D=1A | --- | 260 | 310 |
mΩ |
VGS=4.5V, I D=0.5A | --- | 270 | 320 | |||
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VGS=VDS, I =250UA | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V |
△VGS (Th) | Coefficiente di temperatura di VGS (Th) | --- | -4,2 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 5 | uA |
IGSS | Corrente di perdita di Portone-fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | Na |
gfs | Transconduttanza di andata | VDS=5V, ID=1A | --- | 2,4 | --- | S |
Rg | Resistenza del portone | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,8 | 5,6 | |
Qg | Tassa totale del portone (10V) | --- | 9,7 | 13,6 | ||
Qgs | Tassa di Portone-fonte | --- | 1,6 | 2,2 | ||
Qgd | Tassa dello Portone-scolo | --- | 1,7 | 2,4 | ||
Il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=1A |
--- | 1,6 | 3,2 |
NS |
TR | ||||||
Il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-Fuori | --- | 13,6 | 27 | ||
Tf | Tempo di caduta | --- | 19 | 38 | ||
Ciss | Capacità dell'input | --- | 508 | 711 | ||
Coss | Capacità di uscita | --- | 29 | 41 | ||
Crss | Capacità inversa di trasferimento | --- | 16,4 | 23 | ||
È | Corrente di fonte continua 1,4 | VG=VD=0V, corrente della forza | --- | --- | 1,2 | A |
DOTTRINA | Corrente di fonte pulsata 2,4 | --- | --- | 5 | A | |
VSD | Il diodo trasmette Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Tempo di recupero inverso | IF=1A, dI/dt=100A/µs, | --- | 14 | --- | NS |
Qrr | Tassa inversa di recupero | --- | 9,3 | --- | nC |
Simbolo | Parametro | Circostanze | Min. | Tipo. | Massimo. | Unità |
BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△TJ | Coefficiente di temperatura di BVDSS | Riferimento a 25℃, ID=1mA | --- | 0,067 | --- | V/℃ |
RDS (SOPRA) | Su resistenza statica di Scolo-fonte | VGS=10V, I D=1A | --- | 260 | 310 |
mΩ |
VGS=4.5V, I D=0.5A | --- | 270 | 320 | |||
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VGS=VDS, I =250UA | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V |
△VGS (Th) | Coefficiente di temperatura di VGS (Th) | --- | -4,2 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 5 | uA |
IGSS | Corrente di perdita di Portone-fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | Na |
gfs | Transconduttanza di andata | VDS=5V, ID=1A | --- | 2,4 | --- | S |
Rg | Resistenza del portone | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,8 | 5,6 | |
Qg | Tassa totale del portone (10V) | --- | 9,7 | 13,6 | ||
Qgs | Tassa di Portone-fonte | --- | 1,6 | 2,2 | ||
Qgd | Tassa dello Portone-scolo | --- | 1,7 | 2,4 | ||
Il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=1A |
--- | 1,6 | 3,2 |
NS |
TR | ||||||
Il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-Fuori | --- | 13,6 | 27 | ||
Tf | Tempo di caduta | --- | 19 | 38 | ||
Ciss | Capacità dell'input | --- | 508 | 711 | ||
Coss | Capacità di uscita | --- | 29 | 41 | ||
Crss | Capacità inversa di trasferimento | --- | 16,4 | 23 | ||
È | Corrente di fonte continua 1,4 | VG=VD=0V, corrente della forza | --- | --- | 1,2 | A |
DOTTRINA | Corrente di fonte pulsata 2,4 | --- | --- | 5 | A | |
VSD | Il diodo trasmette Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Tempo di recupero inverso | IF=1A, dI/dt=100A/µs, | --- | 14 | --- | NS |
Qrr | Tassa inversa di recupero | --- | 9,3 | --- | nC |
Nota:
i dati 1.The hanno provato da superficie montata su un bordo a 1 pollici FR-4 con rame 2OZ. i dati 2.The hanno provato tramite pulsato, larghezza di impulso ≦300us, il duty cycle ≦2%
la dissipazione di potere 3.The è limitata dalla temperatura di giunzione di 150 ℃
4. I dati sono teoricamente lo stesso come l'identificazione e IDM, nelle applicazioni reali, dovrebbero essere limitati dalla dissipazione di potere totale.
Simbolo |
Dimensioni nei millimetri | |
MIN. | MASSIMO. | |
A | 0,900 | 1,150 |
A1 | 0,000 | 0,100 |
A2 | 0,900 | 1,050 |
b | 0,300 | 0,500 |
c | 0,080 | 0,150 |
D | 2,800 | 3,000 |
E | 1,200 | 1,400 |
E1 | 2,250 | 2,550 |
e | 0.950TYPE | |
e1 | 1,800 | 2,000 |
L | 0.550REF | |
L1 | 0,300 | 0,500 |
θ | 0° | 8° |
Attenzione
1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.
2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.
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Persona di contatto: David