|
Dettagli:
|
| Nome del prodotto: | Transistor di potenza del Mosfet di Manica di N | modello: | AP5N10SI |
|---|---|---|---|
| pacco: | SOT89-3 | Segno: | AP5N10SI YYWWWW |
| Tensione di VDSDrain-fonte: | 100V | Tensione del rce di VGSGate-Sou: | ±20A |
| Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
||
Transistor di potenza del Mosfet di Manica di AP5N10SI N per il sistema a pile
Descrizione del transistor di potenza del Mosfet di Manica di N:
Il AP5N10SI è la singola logica di N-Manica
transistor di effetto di campo di potere di modo di potenziamento a
fornisca la R eccellente DS (sopra), tassa del portone e basso bassi
gate la resistenza. Spetta a tensione dell'operazione 30V è ben adattata nell'alimentazione elettrica del modo di commutazione, SMPS,
gestione ed altra di potere del computer portatile
circuiti a pile.
Caratteristiche del transistor di potenza del Mosfet di Manica di N:
RDS (SOPRA)<125m>
RDS (SOPRA)<135m>
Progettazione ad alta densità eccellente delle cellule per estremamente - minimo
Su resistenza eccezionale di RDS (SOPRA) e corrente di CC di massimo
Applicazioni del transistor di potenza del Mosfet di Manica di N:
Alimentazione elettrica di commutazione, SMPS
Sistema a pile
Convertitore di DC/DC
Convertitore di DC/AC
Commutatore del carico
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
| Identificazione del prodotto | Pacchetto | Segno | Qty (PCS) |
| AP5N10SI | SOT89-3 | AP5N10SI YYWWWW | 1000 |
Valutazioni massime della Tabella 1.Absolute (TUM =25℃)
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VDS | Tensione di Scolo-fonte (VGS=0V) | 100 | V |
| VGS | Tensione di Portone-fonte (VDS=0V) | ±25 | V |
|
D I |
Vuoti Corrente-continuo (℃ Tc=25) | 5 | A |
| Vuoti Corrente-continuo (℃ Tc=100) | 3,1 | A | |
| IDM (pluse) | Vuoti Current-Continuous@ Corrente-ha pulsato (nota 1) | 20 | A |
| Palladio | Dissipazione di potere massima | 9,3 | W |
| TJ, TSTG | Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | -55 - 150 | ℃ |
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VDS | Tensione di Scolo-fonte (VGS=0V) | 100 | V |
| VGS | Tensione di Portone-fonte (VDS=0V) | ±25 | V |
|
D I |
Vuoti Corrente-continuo (℃ Tc=25) | 5 | A |
| Vuoti Corrente-continuo (℃ Tc=100) | 3,1 | A | |
| IDM (pluse) | Vuoti Current-Continuous@ Corrente-ha pulsato (nota 1) | 20 | A |
| Palladio | Dissipazione di potere massima | 9,3 | W |
| TJ, TSTG | Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | -55 - 150 | ℃ |
Caratteristica della Tabella 2.Thermal
| Simbolo | Parametro | Tipo | Valore | Unità |
| R JA | Resistenza termica, Giunzione--ambientale | - | 13,5 | ℃/W |
Caratteristiche elettriche della tabella 3. (TUM =25℃ salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Circostanze | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| Stati inserita/disinserita | ||||||
| BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS=0V ID=250μA | 100 | V | ||
| IDSS | Corrente zero dello scolo di tensione del portone | VDS=100V, VGS=0V | 100 | μA | ||
| IGSS | Corrente di perdita del Portone-corpo | VGS=±20V, VDS=0V | ±100 | Na | ||
| VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VDS=VGS, μA ID=250 | 1 | 1,5 | 3 | V |
|
RDS (SOPRA) |
Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte |
VGS=10V, ID= 10A | 110 | 125 | m. Ω | |
| VGS=4.5V, ID=-5A | 120 | 135 | m. Ω | |||
| Caratteristiche dinamiche | ||||||
| Ciss | Capacità dell'input |
VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz |
690 | PF | ||
| Coss | Capacità di uscita | 120 | PF | |||
| Crss | Capacità inversa di trasferimento | 90 | PF | |||
| Tempi di commutazione | ||||||
| il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura | 11 | NS | |||
|
r t |
Tempo di aumento d'apertura | 7,4 | NS | |||
| il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-Fuori | 35 | NS | |||
|
f t |
Tempo di caduta di giro-Fuori | 9,1 | NS | |||
| Qg | Tassa totale del portone | VDS=15V, ID=10A V GS=10V | 15,5 | nC | ||
| Qgs | Tassa di Portone-fonte | 3,2 | nC | |||
| Qgd | Tassa dello Portone-scolo | 4,7 | nC | |||
| Caratteristiche di diodo dello Fonte-scolo | ||||||
| ISD | Corrente dello Fonte-scolo (diodo del corpo) | 20 | A | |||
| VSD | Trasmettono su tensione (nota 1) | VGS=0V, IS=2A | 0,8 | V | ||
Saldatura di riflusso:
La scelta del metodo di riscaldamento può essere influenzata dal pacchetto di plastica di QFP). Se l'infrarosso o il riscaldamento di fase di vapore è usato e
il pacchetto non è assolutamente asciutto (meno di 0,1% tenore d'acqua a peso), la vaporizzazione della piccola quantità di umidità
in loro può causare l'incrinamento del corpo di plastica. Il preriscaldamento è necessario da asciugare la pasta e da evaporare il legante. Durata di preriscaldamento: 45 minuti a 45 °C.
La saldatura di riflusso richiede la pasta della lega per saldatura (una sospensione delle particelle, del cambiamento continuo e del legante fini della lega per saldatura) per applicarsi al bordo del circuito stampato da stampa, dalla riproduzione con uno stampino o dalla pressione-siringa dello schermo dispensante prima della disposizione del pacchetto. Parecchi metodi esistono per reflowing; per esempio, convezione o convezione/riscaldamento infrarosso in un tipo forno del trasportatore. I tempi di lavorazione (preriscaldamento, saldante e raffreddantesi) variano fra 100 e 200 secondi secondo il metodo di riscaldamento.
Gamma di temperature tipica del picco di riflusso da 215 a °C 270 secondo il materiale della pasta della lega per saldatura. La superiore superficie
temperatura dei pacchetti se preferibile essere tenuto inferiore a °C 245 per densamente/grandi pacchetti (pacchetti con uno spessore
2,5 millimetri o con un volume 350 millimetri
3
cosiddetti pacchetti spessi/grandi). La temperatura della superiore superficie dei pacchetti dovrebbe
preferibile sia tenuto inferiore a °C 260 per pacchetti sottili/piccoli (pacchetti con uno spessore < 2="">
| Fase | Circostanza | Durata |
| 1' Ram della st sul tasso | max3.0+/-2 /sec | - |
| Preriscaldi | 150 ~200 | sec 60~180 |
| 2' Ram del ND su | max3.0+/-2 /sec | - |
| Giunto della lega per saldatura | 217 qui sopra | sec 60~150 |
| Impiegati di punta | 260 +0/-5 | sec 20~40 |
| Conficchi il tasso | 6 /sec massimo | - |
Saldatura di Wave:
La saldatura singola convenzionale dell'onda non è raccomandata per i dispositivi di superficie (SMDs) del supporto o i bordi del circuito stampato con un'alta densità componente, poichè gettare un ponte e la non bagnatura della lega per saldatura possono presentare i problemi principali.
Saldatura del manuale:
Ripari la componente in primo luogo saldando due cavi diagonale-opposti dell'estremità. Usi un basso saldatoio di tensione (24 V o di meno) applicato alla parte piana del cavo. Il tempo del contatto deve essere limitato a 10 secondi a fino a 300 °C. Nel per mezzo di uno strumento dedicato, tutti i altri cavi possono essere saldati in un'operazione in 2 - 5 secondi fra 270 e 320 °C.
Persona di contatto: David
