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Transistor di potenza di commutazione veloce AP6H06S 6A 60V del Mosfet su misura

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

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Transistor di potenza di commutazione veloce AP6H06S 6A 60V del Mosfet su misura

Transistor di potenza di commutazione veloce AP6H06S 6A 60V del Mosfet su misura
Transistor di potenza di commutazione veloce AP6H06S 6A 60V del Mosfet su misura Transistor di potenza di commutazione veloce AP6H06S 6A 60V del Mosfet su misura

Grande immagine :  Transistor di potenza di commutazione veloce AP6H06S 6A 60V del Mosfet su misura

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: AP6H06S
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Transistor di potenza di commutazione veloce AP6H06S 6A 60V del Mosfet su misura

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet modello: AP6H06S
pacco: SOP-8 Segno: AP6H06S
Tensione di VDSDrain-fonte: 60V Tensione del rce di VGSGate-Sou: ±20A
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

Transistor di potenza di commutazione veloce AP6H06S 6A 60V del Mosfet su misura

 

Introduzione del transistor di potenza del Mosfet

 

La tecnologia del MOSFET è ideale per uso in molte applicazioni di potere, dove il commutatore basso sulla resistenza permette agli alti livelli di efficienza di essere raggiunto.

Ci sono una serie di varietà differenti di MOSFET di potere disponibili dai produttori differenti, ciascuno con le sue proprie caratteristiche e da abilità.

Molti MOSFETs di potere comprendono una topologia verticale della struttura. Ciò permette alla commutazione a corrente forte con l'alta efficienza all'interno di area utile relativamente piccola. Inoltre permette al dispositivo di sostenere la commutazione di tensione ed a corrente forte.

 

 

Caratteristiche generali


VDS = 60V IDENTIFICAZIONE =6 A
RDS (SOPRA) < 35m="">

 

Applicazione

 

Protezione della batteria
Commutatore del carico
Gruppo di continuità

 

 

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

 

Identificazione del prodotto Pacchetto Segno Qty (PCS)
AP6H06S SOP-8 AP6H06S 3000

 

Valutazioni massime assolute (TUM =25℃ salvo indicazione contraria)

 

Parametro Simbolo Limite Unità
Tensione di Scolo-fonte VDS 60 V
Tensione di Portone-fonte VGS ±20 V
Vuoti Corrente-continuo Identificazione 6 A
Vuoti Corrente-continuo (TC=100℃) Identificazione (100℃) 3,5 A
Corrente pulsata dello scolo IDM 24 A
Dissipazione di potere massima Palladio 2 W
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione TJ, TSTG -55 - 150
Resistenza termica, Giunzione--ambientale (nota 2) RθJA 62,5 ℃/W

 

Caratteristiche elettriche (TUM =25℃ salvo indicazione contraria)

 

 

Parametro Simbolo Circostanza Min Tipo Massimo Unità
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte BVDSS VGS=0V ID=250μA 60 - - V
Corrente zero dello scolo di tensione del portone IDSS VDS=60V, VGS=0V - - 1 μA
Corrente di perdita del Portone-corpo IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 Na
Tensione della soglia del portone VGS (Th) VDS=VGS, ID=250μA 1,2 1,6 2,5 V

 

Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte

RDS (SOPRA) VGS=10V, ID=5A - 26 35 mΩ
RDS (SOPRA) VGS=4.5V, ID=5A - 32 45 mΩ
Transconduttanza di andata gFS VDS=5V, ID=5A 11 - - S
Capacità dell'input Clss   - 979 - PF
Capacità di uscita Coss - 120 - PF
Capacità inversa di trasferimento Crss - 100 - PF
Tempo di ritardo d'apertura il TD (sopra)   - 5,2 - NS
Tempo di aumento d'apertura

r

t

- 3 - NS
Tempo di ritardo di giro-Fuori il TD (fuori) - 17 - NS
Tempo di caduta di giro-Fuori

f

t

- 2,5 - NS
Tassa totale del portone Qg

 

VDS=30V, ID=5A,

- 22   nC
Tassa di Portone-fonte Qgs - 3,3   nC
Tassa dello Portone-scolo Qgd - 5,2   nC
Tensione di andata del diodo (nota 3) VSD VGS=0V, IS=5A -   1,2 V
Corrente di andata del diodo (nota 2)

S

I

  - - 5 A
Tempo d'apertura di andata tonnellata Il tempo d'apertura intrinseco è trascurabile (eccitazzione è dominata da LS+LD)

 

Note:

 

1. valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima. 2. superficie montata FR4 sul bordo, sec del ≤ 10 di t.

3. Prova di impulso: ≤ 300μs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.

4. Garantito da progettazione, non conforme a produzione

5. stato di EAS: Tj=25℃, VDD=30V, VG=10V, L=0.5mH, Ω Rg=25

 

Attenzione

 

1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.

2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.

3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.

4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.

5, nel caso in cui qualsiasi prodotti della microelettronica di APM (dati tecnici compresi, servizi) descritti o contenuti qui siano controllati sotto c'è ne delle leggi e dei regolamenti di controllo delle esportazioni locali applicabili, tali prodotti non devono essere esportati senza ottenere la licenza di esportazione dalle autorità responsabili conformemente alla legge di cui sopra.

6, nessuna parte di questa pubblicazione possono essere riprodotti o trasmessi in tutta la forma o con qualsiasi mezzo, elettronico o meccanico, compreso la fotocopiatura e la registrazione, o qualunque sistema di ricerca dell'informazione o di memorizzazione dei dati, o altrimenti, senza il permesso scritto priore del semiconduttore CO. della microelettronica di APM, srl.

7, informazioni (schemi circuitali compresi e parametri del circuito) qui sono soltanto per esempio; non è garantito per produzione in volume. La microelettronica di APM crede che le informazioni qui siano accurate ed affidabili, ma nessuna garanzia è fatta o implicata per quanto riguarda il suo uso o tutte le infrazioni dei diritti di proprietà intellettuale o di altri diritti dei terzi.

, Qualsiasi informazioni descritte o contenute qui sono conforme a cambiamento senza preavviso dovuto il prodotto/il miglioramento della tecnologia, ecc. Nel progettare l'attrezzatura, riferisca «alla specificazione della consegna» per il prodotto della microelettronica di APM che intendete usare.

Dettagli di contatto
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