Dettagli:
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Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | modello: | AP6H06S |
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pacco: | SOP-8 | Segno: | AP6H06S |
Tensione di VDSDrain-fonte: | 60V | Tensione del rce di VGSGate-Sou: | ±20A |
Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
Transistor di potenza di commutazione veloce AP6H06S 6A 60V del Mosfet su misura
Introduzione del transistor di potenza del Mosfet
La tecnologia del MOSFET è ideale per uso in molte applicazioni di potere, dove il commutatore basso sulla resistenza permette agli alti livelli di efficienza di essere raggiunto.
Ci sono una serie di varietà differenti di MOSFET di potere disponibili dai produttori differenti, ciascuno con le sue proprie caratteristiche e da abilità.
Molti MOSFETs di potere comprendono una topologia verticale della struttura. Ciò permette alla commutazione a corrente forte con l'alta efficienza all'interno di area utile relativamente piccola. Inoltre permette al dispositivo di sostenere la commutazione di tensione ed a corrente forte.
Caratteristiche generali
VDS = 60V IDENTIFICAZIONE =6 A
RDS (SOPRA) < 35m="">
Applicazione
Protezione della batteria
Commutatore del carico
Gruppo di continuità
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
Identificazione del prodotto | Pacchetto | Segno | Qty (PCS) |
AP6H06S | SOP-8 | AP6H06S | 3000 |
Valutazioni massime assolute (TUM =25℃ salvo indicazione contraria)
Parametro | Simbolo | Limite | Unità |
Tensione di Scolo-fonte | VDS | 60 | V |
Tensione di Portone-fonte | VGS | ±20 | V |
Vuoti Corrente-continuo | Identificazione | 6 | A |
Vuoti Corrente-continuo (TC=100℃) | Identificazione (100℃) | 3,5 | A |
Corrente pulsata dello scolo | IDM | 24 | A |
Dissipazione di potere massima | Palladio | 2 | W |
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | TJ, TSTG | -55 - 150 | ℃ |
Resistenza termica, Giunzione--ambientale (nota 2) | RθJA | 62,5 | ℃/W |
Caratteristiche elettriche (TUM =25℃ salvo indicazione contraria)
Parametro | Simbolo | Circostanza | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 60 | - | - | V |
Corrente zero dello scolo di tensione del portone | IDSS | VDS=60V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
Corrente di perdita del Portone-corpo | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
Tensione della soglia del portone | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,6 | 2,5 | V |
Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte |
RDS (SOPRA) | VGS=10V, ID=5A | - | 26 | 35 | mΩ |
RDS (SOPRA) | VGS=4.5V, ID=5A | - | 32 | 45 | mΩ | |
Transconduttanza di andata | gFS | VDS=5V, ID=5A | 11 | - | - | S |
Capacità dell'input | Clss | - | 979 | - | PF | |
Capacità di uscita | Coss | - | 120 | - | PF | |
Capacità inversa di trasferimento | Crss | - | 100 | - | PF | |
Tempo di ritardo d'apertura | il TD (sopra) | - | 5,2 | - | NS | |
Tempo di aumento d'apertura |
r t |
- | 3 | - | NS | |
Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (fuori) | - | 17 | - | NS | |
Tempo di caduta di giro-Fuori |
f t |
- | 2,5 | - | NS | |
Tassa totale del portone | Qg |
VDS=30V, ID=5A, |
- | 22 | nC | |
Tassa di Portone-fonte | Qgs | - | 3,3 | nC | ||
Tassa dello Portone-scolo | Qgd | - | 5,2 | nC | ||
Tensione di andata del diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=5A | - | 1,2 | V | |
Corrente di andata del diodo (nota 2) |
S I |
- | - | 5 | A | |
Tempo d'apertura di andata | tonnellata | Il tempo d'apertura intrinseco è trascurabile (eccitazzione è dominata da LS+LD) |
Note:
1. valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima. 2. superficie montata FR4 sul bordo, sec del ≤ 10 di t.
3. Prova di impulso: ≤ 300μs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.
4. Garantito da progettazione, non conforme a produzione
5. stato di EAS: Tj=25℃, VDD=30V, VG=10V, L=0.5mH, Ω Rg=25
Attenzione
1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.
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