Alta frequenza del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

Alta frequenza del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

Descrizione del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N:

Il AP7H03DF è la fossa di rendimento elevato
MOSFETs N-ch con alta densità estrema delle cellule,
quale forniscono RDSON eccellente e gate la tassa
per la maggior parte di piccola commutazione di potenza e
applicazioni del commutatore del carico. Il raduno il RoHS e
Requisito del prodotto con affidabilità completa di funzione approvata.

Caratteristiche del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N

VDS = 30V IDENTIFICAZIONE = 7A
RDS (SOPRA) < 18m=""> RDS (SOPRA) < 30m="">

Dettagli

Il transistor di effetto del giacimento del MOS è utilizzato in molti l'alimentazione elettrica e le applicazioni di potere generale, particolarmente come commutatori. La variante s include i MOSFETs planari, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs ed altre marche commerciali differenti.

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

Valutazioni massime assolute (TUM =25℃ salvo indicazione contraria)

Caratteristiche elettriche (℃ di TJ =25, salvo indicazione contraria)

Nota:

i dati 1.The hanno provato da superficie montata su un bordo a 1 pollici FR-4 con rame 2OZ.

i dati 2.The hanno provato tramite pulsato, ≦ 300us, il ≦ 2% di larghezza di impulso del duty cycle

i dati di 3.The EAS mostrano la valutazione massima. La condizione di prova è DD =25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=21A di V

la dissipazione di potere 4.The è limitata dalla temperatura di giunzione 150℃

i dati 5.The sono teoricamente lo stesso come la I D e la I dm, nelle applicazioni reali, dovrebbero essere limitate dalla dissipazione di potere totale.

Attenzione

1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.

2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.

1, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM ha descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non è garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.

2, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.

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