Dettagli:
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Number di modello:: | AP2322GN | Marca commerciale:: | originale |
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Stato:: | Nuovo originale | Tipo:: | LOGICA ICS |
Termine d'esecuzione: | disponibile | D/C:: | Il più nuovo |
Evidenziare: | interruttore di accensione del MOSFET 10A,interruttore di accensione del MOSFET 0.833W,Transistor di potenza del MOSFET di AP2322GN |
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Questo prodotto non è autorizzato per essere usato come componente critica di un sistema di sopravvivenza o di altri simili sistemi.
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Descrizione
I MOSFETs avanzati di potere hanno utilizzato le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere la su resistenza possibile più bassa, estremamente efficiente ed il dispositivo della redditività.
Il pacchetto di SOT-23S ampiamente è preferito per le applicazioni del supporto della superficie di commerciale-industriale ed è adatto per le applicazioni di bassa tensione quali i convertitori di DC/DC.
Ratings@Tj massimo assoluto =25oC (salvo specificazione contraria)
Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
VDS | Tensione di Scolo-fonte | 20 | V |
VGS | Tensione di Portone-fonte | +8 | V |
ID@TA =25℃ | Vuoti la corrente3, VGS @ 4.5V | 2,5 | |
ID@TA =70℃ | Vuoti la corrente3, VGS @ 4.5V | 2,0 | |
IDM | Corrente pulsata1dello scolo | 10 | |
PD@TA =25℃ | Dissipazione di potere totale | 0,833 | W |
TSTG | Gamma di temperature di stoccaggio | -55 - 150 | ℃ |
TJ | Gamma di temperature di funzionamento della giunzione | -55 - 150 | ℃ |
Dati termici
Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
Rthj-a | Resistenza termica massima,3Giunzione-ambientali | 150 | ℃/W |
AP2322G
Characteristics@Tj elettrico =25oC (salvo specificazione contraria)
Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAZIONE =250UA | 20 | - | - | V |
RDS (SOPRA) | Su resistenza statica2di Scolo-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAZIONE =1.6A | - | - | 90 | mΩ |
VGS =2.5V, IDENTIFICAZIONE =1A | - | - | 120 | mΩ | ||
VGS =1.8V, IDENTIFICAZIONE =0.3A | - | - | 150 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =1MA | 0,25 | - | 1 | V |
gfs | Transconduttanza di andata | VDS =5V, IDENTIFICAZIONE =2A | - | 2 | - | S |
IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS =20V, VGS =0V | - | - | 1 | uA |
IGSS | Perdita di Portone-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
Qg | Tassa totale del portone |
Identificazione =2.2A VDS =16V VGS =4.5V |
- | 7 | 11 | nC |
Qgs | Tassa di Portone-fonte | - | 0,7 | - | nC | |
Qgd | Tassa dello Portone-scolo («Miller») | - | 2,5 | - | nC | |
il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura |
IDENTIFICAZIONE =1A RG =3.3Ω DI VDS =10V VGS =5V |
- | 6 | - | NS |
TR | Tempo di aumento | - | 12 | - | NS | |
il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-fuori | - | 16 | - | NS | |
tf | Tempo di caduta | - | 4 | - | NS | |
Ciss | Capacità introdotta |
V.GS=0V VDS =20V f=1.0MHz |
- | 350 | 560 | PF |
Coss | Capacità di uscita | - | 55 | - | PF | |
Crss | Capacità inversa di trasferimento | - | 48 | - | PF | |
Rg | Resistenza del portone | f=1.0MHz | - | 3,2 | 4,8 | Ω |
Diodo dello Fonte-scolo
Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
VSD | Trasmetta su tensione2 | È =0.7A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
trr | Tempo di recupero inverso |
È =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 20 | - | NS |
Qrr | Tassa inversa di recupero | - | 13 | - | nC |
Note:
larghezza 1.Pulse limitata dalla temperatura di giunzione massima.
prova 2.Pulse
3.Surface ha montato su 1 in cuscinetto di rame2 FR4 del bordo, t<> 10sec; 360 ℃/W una volta montato sul cuscinetto del rame di minuto.
Persona di contatto: David