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Dettagli:
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Number di modello:: | AP2N1K2EN1 | Tipo del fornitore: | Produttore originale, Odm, agenzia, rivenditore |
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Marca commerciale:: | Marca originale | Tipo del pacchetto: | SOT-723 (N1) |
D/C: | Il più nuovo | Descrizione:: | Transistor |
Evidenziare: | transistor del MOSFET 800mA,transistor del MOSFET 0.15W,AP2N1K2EN1 IC Chips Transistor |
Il componente elettronico originale del transistor AP2N1K2EN1 del MOSFET/IC scheggia
Descrizione
Le serie di AP2N1K2E provengono da potere avanzato hanno innovato progettazione e tecnologia della trasformazione del silicio di raggiungere la su resistenza possibile più bassa e la prestazione di commutazione veloce. Fornisce al progettista un dispositivo efficiente estremo per uso in una vasta gamma di applicazioni di potere.
Il pacchetto SOT-723 con l'orma molto piccola è adatto a tutta l'applicazione del supporto della superficie di commerciale-industriale.
Note:
larghezza 1.Pulse limitata dalla temperatura di giunzione massima.
prova 2.Pulse
3.Surface ha montato sul cuscinetto del rame di minuto del bordo FR4
Questo prodotto è sensibile a scarica elettrostatica, prego tratta con attenzione.
Questo prodotto non è autorizzato per essere usato come componente critica di un sistema di sopravvivenza o di altri simili sistemi.
Il APEC non sarà suscettibile per alcuna responsabilità in seguito all'applicazione o l'uso di tutto il prodotto o circuito ha descritto in questo accordo, né assegnerà qualunque licenza nell'ambito dei suoi diritti di brevetto o assegnerà i diritti di altri.
Il APEC riserva il diritto di fare i cambiamenti a tutto il prodotto in questo accordo senza preavviso migliorare l'affidabilità, la funzione o la progettazione.
Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
VDS | Tensione di Scolo-fonte | 20 | V |
VGS | Tensione di Portone-fonte | +8 | V |
ID@TA =25℃ | Vuoti la corrente3, VGS @ 2.5V | 200 | mA |
IDM | Corrente pulsata1dello scolo | 400 | mA |
IS@TA =25℃ | Corrente di fonte (diodo del corpo) | 125 | mA |
DOTTRINA | Corrente di fonte pulsata1 (diodo del corpo) | 800 | mA |
PD@TA =25℃ | Dissipazione di potere totale | 0,15 | W |
TSTG | Gamma di temperature di stoccaggio | -55 - 150 | ℃ |
TJ | Gamma di temperature di funzionamento della giunzione | -55 - 150 | ℃ |
Dati termici
Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
Rthj-a | Resistenza termica massima,3Giunzione-ambientali | 833 | ℃/W |
AP2N1K2EN
Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAZIONE =250UA | 20 | - | - | V |
RDS (SOPRA) | Su resistenza statica2di Scolo-fonte | VGS =2.5V, IDENTIFICAZIONE =200MA | - | - | 1,2 | Ω |
VGS =1.8V, IDENTIFICAZIONE =200MA | - | - | 1,4 | Ω | ||
VGS =1.5V, IDENTIFICAZIONE =40MA | - | - | 2,4 | Ω | ||
VGS =1.2V, IDENTIFICAZIONE =20MA | - | - | 4,8 | Ω | ||
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =1MA | 0,3 | - | 1 | V |
gfs | Transconduttanza di andata | VDS =10V, IDENTIFICAZIONE =200MA | - | 1,8 | - | S |
IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | uA |
IGSS | Perdita di Portone-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | uA |
Qg | Tassa totale del portone |
IDENTIFICAZIONE =200MA VDS =10V VGS =2.5V |
- | 0,7 | - | nC |
Qgs | Tassa di Portone-fonte | - | 0,2 | - | nC | |
Qgd | Tassa dello Portone-scolo («Miller») | - | 0,2 | - | nC | |
il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura | VDS =10V | - | 2 | - | NS |
TR | Tempo di aumento | Identificazione =150mA | - | 10 | - | NS |
il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-fuori | RG =10Ω | - | 30 | - | NS |
tf | Tempo di caduta | .VGS =5V | - | 16 | - | NS |
Ciss | Capacità introdotta |
VGS =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 44 | - | PF |
Coss | Capacità di uscita | - | 14 | - | PF | |
Crss | Capacità inversa di trasferimento | - | 10 | - | PF |
Diodo dello Fonte-scolo
Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
VSD | Trasmetta su tensione2 | È =0.13A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
Persona di contatto: David