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Dettagli:
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| Number di modello:: | AP2308GEN | Circostanza:: | nuovo ed originale |
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| Tipo:: | Guidi IC | Applicazione:: | Prodotti elettronici |
| D/C:: | Nuovo | Scheda:: | i pls ci contattano |
| Evidenziare: | Transistor di potenza del Mosfet SOT-23,transistor di potenza del Mosfet 3.6A,transistor del MOSFET 0.69W |
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Prezzo di vantaggio del componente elettronico AP2308GEN SOT-23 per le azione originali
Descrizione
I MOSFETs avanzati di potere hanno utilizzato le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere la su resistenza possibile più bassa, estremamente efficiente ed il dispositivo della redditività.
Il pacchetto di SOT-23S ampiamente è preferito per le applicazioni del supporto della superficie di commerciale-industriale ed è adatto per le applicazioni di bassa tensione quali i convertitori di DC/DC.
Ratings@Tj massimo assoluto =25oC (salvo specificazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione di Scolo-fonte | 20 | V |
| VGS | Tensione di Portone-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Vuoti la corrente3, VGS @ 4.5V | 1,2 | |
| ID@TA =70℃ | Vuoti la corrente3, VGS @ 4.5V | 1 | |
| IDM | Corrente pulsata1dello scolo | 3,6 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipazione di potere totale | 0,69 | W |
| TSTG | Gamma di temperature di stoccaggio | -55 - 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di temperature di funzionamento della giunzione | -55 - 150 | ℃ |
Dati termici
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| Rthj-a | Resistenza termica massima,3Giunzione-ambientali | 180 | ℃/W |
AP2308GE
Characteristics@Tj elettrico =25oC (salvo specificazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAZIONE =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOPRA) | Su resistenza statica2di Scolo-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAZIONE =1.2A | - | - | 600 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAZIONE =0.3A | - | - | 2 | Ω | ||
| VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250UA | 0,5 | - | 1,25 | V |
| gfs | Transconduttanza di andata | VDS =5V, IDENTIFICAZIONE =1.2A | - | 1 | - | S |
| IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS =20V, VGS =0V | - | - | 1 | uA |
| IGSS | Perdita di Portone-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | uA |
| Qg | Tassa totale del portone |
IDENTIFICAZIONE =1.2A VDS =16V VGS =4.5V |
- | 1,2 | 2 | nC |
| Qgs | Tassa di Portone-fonte | - | 0,4 | - | nC | |
| Qgd | Tassa dello Portone-scolo («Miller») | - | 0,3 | - | nC | |
| il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura |
IDENTIFICAZIONE =1.2A RG =3.3Ω DI VDS =10V VGS =5V |
- | 17 | - | NS |
| TR | Tempo di aumento | - | 36 | - | NS | |
| il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-fuori | - | 76 | - | NS | |
| tf | Tempo di caduta | - | 73 | - | NS | |
| Ciss | Capacità introdotta |
VGS =0V .VDS =10V f=1.0MHz |
- | 37 | 60 | PF |
| Coss | Capacità di uscita | - | 17 | - | PF | |
| Crss | Capacità inversa di trasferimento | - | 13 | - | PF |
Diodo dello Fonte-scolo
| Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
| VSD | Trasmetta su tensione2 | È =1.2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
Note:
larghezza 1.Pulse limitata dalla temperatura di giunzione massima.
prova 2.Pulse
3.Surface ha montato su 1 in cuscinetto di rame2 FR4 del bordo, t<> 10s; 400℃/W quando ha montato sul cuscinetto di rame minimo.
Oggetti: Nuovo AP2308GEN
Numero del pezzo: AP2308GEN
Pacchetto: Componenti elettronici
Componenti elettronici: AP2308GEN
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Persona di contatto: David
