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Dettagli:
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| Number di modello:: | AP1332GEU-HF | Tipo:: | Componenti elettronici |
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| Diodo:: | Transistor | Modulo di IGBT:: | Tubo ad alta frequenza |
| Induttore:: | LED | D/C:: | Il più nuovo |
| Evidenziare: | transistor di potenza del Mosfet 2.5A,transistor di potenza del Mosfet 0.35W,Transistor del Mosfet del diodo di AP1332GEU-HF |
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Il prezzo franco fabbrica economico AP1332GEU-HF contatta prego l'affare, ha luogo lo stesso giorno prevarrà
Descrizione
Le serie AP1332 provengono da potere avanzato hanno innovato progettazione e tecnologia della trasformazione del silicio di raggiungere la resistenza su possibile più bassa e la prestazione di commutazione veloce. Fornisce al progettista un dispositivo efficiente estremo per uso in una vasta gamma di applicazioni di potere.
Note:
larghezza 1.Pulse limitata dalla temperatura di giunzione massima.
prova 2.Pulse.
3.Surface ha montato FR4 sul bordo, sec del ≦ 10 di t.
Ratings@Tj massimo assoluto =25.oC (salvo specificazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione di Scolo-fonte | 20 | V |
| VGS | Tensione di Portone-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Vuoti la corrente3, VGS @ 4.5V | 600 | mA |
| ID@TA =70℃ | Vuoti la corrente3, VGS @ 4.5V | 470 | mA |
| IDM | Corrente pulsata1dello scolo | 2,5 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipazione di potere totale | 0,35 | W |
| TSTG | Gamma di temperature di stoccaggio | -55 - 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di temperature di funzionamento della giunzione | -55 - 150 | ℃ |
Dati termici
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| Rthj-a | Resistenza termica massima,3Giunzione-ambientali | 360 | ℃/W |
AP1332GEU-H
Characteristics@Tj elettrico =25oC (salvo specificazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAZIONE =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOPRA) | Su resistenza statica2di Scolo-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAZIONE =600MA | - | - | 0,6 | Ω |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAZIONE =300MA | - | - | 2 | Ω | ||
| VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250UA | 0,5 | - | 1,25 | V |
| gfs | Transconduttanza di andata | VDS =5V, IDENTIFICAZIONE =600MA | - | 1 | - | S |
| IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | uA |
| IGSS | Perdita di Portone-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | uA |
| Qg | Tassa totale del portone |
IDENTIFICAZIONE =600MA VDS =16V VGS =4.5V |
- | 1,3 | 2 | nC |
| Qgs | Tassa di Portone-fonte | - | 0,3 | - | nC | |
| Qgd | Tassa dello Portone-scolo («Miller») | - | 0,5 | - | nC | |
| il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura |
IDENTIFICAZIONE =600MA RG =3.3Ω DI VDS =10V VGS =5V |
- | 21 | - | NS |
| TR | Tempo di aumento | - | 53 | - | NS | |
| il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-fuori | - | 100 | - | NS | |
| tf | Tempo di caduta | - | 125 | - | NS | |
| Ciss | Capacità introdotta |
VGS =0V V.DS=10V f=1.0MHz |
- | 38 | 60 | PF |
| Coss | Capacità di uscita | - | 17 | - | PF | |
| Crss | Capacità inversa di trasferimento | - | 12 | - | PF |
Diodo dello Fonte-scolo
| Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
| VSD | Trasmetta su tensione2 | È =300MA, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
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