Nome del prodotto:transistor di potenza del mosfet
VDSS:20V
Materiale:silicio
Nome del prodotto:transistor di potenza del mosfet
VDS:30V
RDS (SOPRA) < 35mΩ:(VGS = 4.5V)
Nome del prodotto:transistor di potenza del mosfet
Temperatura di giunzione::150℃
Materiale:silicio
Nome del prodotto:transistor di potenza del mosfet
VDS:30V
Identificazione (a VGS=10V):13A
Nome del prodotto:transistor di potenza del mosfet
RDS (SOPRA) (a VGS=10V):< 24m="">
Materiale:silicio
Nome del prodotto:transistor di potenza del mosfet
Applicazione:Commutazione ad alta frequenza
Materiale:silicio
Nome del prodotto:transistor di potenza del mosfet
Temperatura di giunzione::150℃
Materiale:silicio
Struttura:struttura verticale
V tensione di Scolo-fonte di DSS:-40 V
V tensione di Portone-fonte di GSS:±20 V
Nome del prodotto:transistor di potenza del mosfet
V tensione di Scolo-fonte di DSS:-60 V
V tensione di Portone-fonte di GSS:±20 V
Nome del prodotto:Transistor di effetto del giacimento del MOS
V tensione di Scolo-fonte di DSS:30 V
V tensione di Portone-fonte di GSS:±20 V
Nome del prodotto:transistor di potenza del mosfet
V tensione di Scolo-fonte di DSS:30 V
V tensione di Portone-fonte di GSS:±20 V
Nome del prodotto:Transistor di effetto del giacimento del MOS
V tensione di Scolo-fonte di DSS:60 V
V tensione di Portone-fonte di GSS:±25 V