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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | Tipo: | Transistor del Mosfet |
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| Identificazione del prodotto: | HXY4616 | VDS: | 40V |
| Caratteristiche: | Pacchetto di superficie del supporto | VGS: | ±20V |
| Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,commutatore a corrente forte del mosfet |
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MOSFET complementare di HXY4616 30V
Descrizione
Gli usi HXY4616 avanzati trench la tecnologia a RDS provideexcellent (SOPRA) ed alla tassa bassa del portone. Thiscomplementary N e P incanala i configurationis del MOSFET ideali per le applicazioni basse dell'invertitore di tensione in ingresso.
A. Il valore delθJAdella R è misurato con il dispositivo montato su 1in A =25°C. che il valore in tutta l'applicazione data dipende dal bordo specifico del bordo design.2 FR-4 dell'utente con 2oz. Rami, in un ambiente di aria tranquillo con T
B. La dissipazione di potere la PD è basata su TJ(max) =150°C, facendo uso della resistenza termica giunzione--ambientale del ≤ 10s. C. la valutazione ripetitiva, larghezza di impulso limitata dalle valutazioni della temperatura di giunzione TJ(max) =150°C. è basata su bassa frequenza e sui duty cycle per tenere il initialTJ=25°C.
D. IlθJAdella R è la somma dell'impedenza termica dalla giunzione per condurre ilθJLdella R e da condurre ad ambientale.
E. Le caratteristiche statiche nella figure 1 - 6 sono ottenute facendo uso di <300>
F. Queste curve sono basate sull'impedenza termica giunzione--ambientale che è misurata con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con 2oz. Rami, presupponendo che una temperatura di giunzione massima di TJ(max) =150°C. la curva di SOA fornisce un singolo ratin G. di impulso.
Persona di contatto: David
