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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | Applicazione: | Gestione di potere |
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| Caratteristica: | RDS eccellente (sopra) | Transistor del Mosfet di potere: | MOSFET di potere di modo di potenziamento |
| Numero di modello: | 10N60 | ||
| Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
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MOSFET di POTERE di 10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL
DESCRIZIONE
Il UTC 10N60K-MTQ è un MOSFET ad alta tensione di potere destinato per avere migliori caratteristiche, quali tempo veloce di commutazione, la tassa bassa del portone, la resistenza bassa dello su stato e le alte caratteristiche irregolari della valanga. Questo MOSFET di potere è utilizzato solitamente nelle applicazioni ad alta velocità di commutazione delle alimentazioni elettriche e degli adattatori di commutazione.
CARATTERISTICHE
RDS(SOPRA)< 1=""> GS = 10 V, ID = 5,0 A
* capacità veloce di commutazione
* energia della valanga provata
* capacità migliore di dv/dt, alta irregolarità
| Numero di ordinazione | Pacchetto | Assegnazione di Pin | Imballaggio | |||
| Senza piombo | L'alogeno libera | 1 | 2 | 3 | ||
| 10N60KL-TF3-T | 10N60KG-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Metropolitana |
| 10N60KL-TF1-T | 10N60KG-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Metropolitana |
| 10N60KL-TF2-T | 10N60KG-TF2-T | TO-220F2 | G | D | S | Metropolitana |
Nota: Assegnazione di Pin: G: Portone D: Scolo S: Fonte
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (TC = 25°С, salvo specificazione contraria)
| PARAMETRO | SIMBOLO | VALUTAZIONI | UNITÀ | |
| Tensione di Scolo-fonte | VDSS | 600 | V | |
| Tensione di Portone-fonte | VGSS | ±30 | V | |
| Corrente continua dello scolo | ID | 10 | A | |
| Corrente pulsata dello scolo (nota 2) | IDM | 40 | A | |
| Corrente della valanga (nota 2) | IAR | 8,0 | A | |
| Energia della valanga | Scelga pulsato (nota 3) | EAS | 365 | mJ |
| Alzi il recupero verticalmente del diodo dv/dt (nota 4) | dv/dt | 4,5 | NS | |
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Dissipazione di potere |
TO-220 |
PD |
156 | W |
| TO-220F1 | 50 | W | ||
| TO-220F2 | 52 | W | ||
| Temperatura di giunzione | TJ | +150 | °C | |
| Temperatura di stoccaggio | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Note: 1. le valutazioni massime assolute sono quei valori oltre cui il dispositivo potrebbe permanentemente essere danneggiato.
Le valutazioni massime assolute sono valutazioni di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata.
4. Valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
5. L = 84mH, ICOME =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 che inizia TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS dideviazione standarddi V, iniziante TJ = 25°C
| PARAMETRO | SIMBOLO | VALUTAZIONE | UNITÀ |
| Giunzione ad ambientale | θJA | 62,5 | °C/W |
| Giunzione da rivestire | θJC | 3,2 | °C/W |
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (TJ = 25°С, salvo specificazione contraria)
| PARAMETRO | SIMBOLO | CONDIZIONI DI PROVA | MIN | TIPO | Max | UNITÀ | |
| FUORI DALLE CARATTERISTICHE | |||||||
| Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250μA | 600 | V | |||
| Corrente di perdita di Scolo-fonte | IDSS | VDS = 600V, VGS = 0V | 10 | μA | |||
| Corrente di perdita di fonte del portone | Di andata | IGSS | VGS = 30V, VDS = 0V | 100 | Na | ||
| Inverso | VGS = -30V, VDS = 0V | -100 | Na | ||||
| SULLE CARATTERISTICHE | |||||||
| Tensione della soglia del portone | VGS (TH) | VDS = VGS, ID = 250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistenza statica dello Su stato di Scolo-fonte | RDS (SOPRA) | VGS = 10V, ID = 5.0A | 1,0 | Ω | |||
| CARATTERISTICHE DINAMICHE | |||||||
| Capacità dell'input | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 megahertz | 1120 | PF | |||
| Capacità di uscita | COSS | 120 | PF | ||||
| Capacità inversa di trasferimento | CRSS | 13 | PF | ||||
| CARATTERISTICHE DI COMMUTAZIONE | |||||||
| Tassa totale del portone (nota 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (nota 1,2) | 28 | nC | |||
| Tassa di Portone-fonte | QGS | 8 | nC | ||||
| Tassa dello Portone-scolo | QGD | 6 | nC | ||||
| Tempo di ritardo d'apertura (nota 1) | il TD (SOPRA) |
VDD =30V, ID =0.5A, RG =25Ω, VGS=10V (nota 1,2) |
80 | NS | |||
| Tempo di aumento d'apertura | tR | 89 | NS | ||||
| Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (FUORI) | 125 | NS | ||||
| Tempo di caduta di giro-Fuori | tF | 64 | NS | ||||
| CARATTERISTICHE DI DIODO DI DRAIN-SOURCE E VALUTAZIONI MASSIME | |||||||
| Il diodo continuo massimo di Scolo-fonte trasmette la corrente | IS | 10 | A | ||||
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Il massimo ha pulsato diodo di Scolo-fonte Corrente di andata |
DOTTRINA | 40 | A | ||||
| Tensione di andata del diodo di Scolo-fonte (nota 1) | VSD | VGS = 0 V, IS = 10 A | 1,4 | V | |||
Essenzialmente indipendente dalla temperatura di funzionamento. Note: 1. prova di impulso: ≤ 300µs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.
Persona di contatto: David
