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Circuito del transistor di D965 NPN, rendimento elevato del transistor di potenza di NPN 

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Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Circuito del transistor di D965 NPN, rendimento elevato del transistor di potenza di NPN 

Circuito del transistor di D965 NPN, rendimento elevato del transistor di potenza di NPN 
Circuito del transistor di D965 NPN, rendimento elevato del transistor di potenza di NPN 

Grande immagine :  Circuito del transistor di D965 NPN, rendimento elevato del transistor di potenza di NPN 

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: D965
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno
Contatto

Circuito del transistor di D965 NPN, rendimento elevato del transistor di potenza di NPN 

descrizione
VCBO: 42V VCEO: 22v
VEBO: 6v Nome del prodotto: tipo del triodo a semiconduttore
Dissipazione di potere del collettore: 750mW TJ: 150Š
Evidenziare:

transistor di serie di punta

,

transistor del pnp di alto potere

TO-92 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor D965 (NPN)

 

 

CARATTERISTICA

Amplificatore audio di Ÿ

Unità dell'istantaneo di Ÿ della macchina fotografica

Circuito di commutazione di Ÿ

 

 

SEGNO

 

Codice di D965=Device

Il solido dot=Green il dispositivo composto di modellatura,

non ne se, il dispositivo normale

Z=Rank di hFE, XXX=Code

 

Circuito del transistor di D965 NPN, rendimento elevato del transistor di potenza di NPN  0

 

 

INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE

Numero del pezzo Pacchetto Metodo dell'imballaggio Quantità del pacchetto
D965 TO-92 Massa 1000pcs/Bag
D965-TA TO-92 Nastro 2000pcs/Box


 

 

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)

 

Simbolo Metro di Para Valore Unità
VCBO Tensione della Collettore-base 42 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore 22 V
VEBO Tensione emittenta-base 6 V
IC Corrente di collettore - continua 5 A
PD Dissipazione di potere del collettore 750 Mw
R0 JA Il termale resiste alla giunzione della ROM di ance f ad ambientale 166,7 Š/W
TJ Temperatura di giunzione 150 Š
Tstg Temperatura di orage della st -55 ~+150 Š

 

 

 

 


CARATTERISTICHE ELETTRICHE

 

 

Tum =25 Š salvo specificazione contraria


 

 

Parametro Simbolo Condizioni di prova MIN TIPO Max UNITÀ
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC=0.1mA, CIOÈ =0 42     V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore CEO V (DEL BR) IC=1mA, IB=0 22     V
Tensione di ripartizione emittenta-base V (BR) EBO CIOÈ = 10µA, IC=0 6     V
Corrente di taglio di collettore ICBO VCB=30V, CIOÈ =0     0,1 µA
Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB=6V, IC=0     0,1 µA

 

Guadagno corrente di CC

 hFE (1) VCE=2V, IC= 0,15 mA 150      
hFE (2) VCE= 2V, IC = 500 mA 340   2000  
hFE (3) VCE=2V, IC = 2A 150      
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore VCE (seduto) IC=3000mA, IB=100 mA     0,35 V
Frequenza di transizione fT VCE=6V, IC=50mA, f=30MHz   150   Megahertz

 
  

CLASSIFICAZIONE DELFedi h(2)

Rango R T V
Gamma 340-600 560-950 900-2000

 

 

 

 

Caratteristiche tipiche

 

Circuito del transistor di D965 NPN, rendimento elevato del transistor di potenza di NPN  1Circuito del transistor di D965 NPN, rendimento elevato del transistor di potenza di NPN  2Circuito del transistor di D965 NPN, rendimento elevato del transistor di potenza di NPN  3Circuito del transistor di D965 NPN, rendimento elevato del transistor di potenza di NPN  4

 
 

 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
  Min Massimo Min Massimo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPI
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Prodotto Tag:

transistor del pnp di alto potere,

transistor di serie di punta,

transistor del pnp di punta

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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