qualità transistor di potenza del mosfet & Transistor di potenza di punta fabbrica

Corrente di collettore di guadagno corrente di CC del triodo a semiconduttore di TO-220-3L TIP117 alta -2A
- Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
- Prezzo: Negotiated
- Imballaggi particolari: Inscatolato
Contatto
Tipo rendimento elevato del supporto della superficie del transistor di potenza del Mosfet WST2078
- Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet
- Caratteristiche: Pacchetto di superficie del supporto
- RDSON: 30mΩ
Contatto
Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L
- VCBO: -40v
- VCEO: -30V
- Temperatura di stoccaggio: -55-150℃
Contatto
2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP
- Nome del prodotto: tipo del triodo a semiconduttore
- Applicazione: l'alimentazione elettrica mobile ha condotto il driver/controllo motorio
- Materiale: silicio
Contatto
Transistor di potenza del silicio BAW56/BAV70/BAV9 per la commutazione per tutti gli usi
- Tipo: COMMUTAZIONE DIODESOD
- Applicazione: Commutazione per tutti gli usi
- Transistor del Mosfet di potere: Plastica-EncapsulateDiodes SOD-123
Contatto
Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio di MMBTA55 NPN
- Temperatura di giunzione: ℃ 150
- Tipo: Transistor del triodo
- Applicazione: l'alimentazione elettrica mobile ha condotto il driver/controllo motorio
Contatto
Definisca la capacità a corrente forte del diodo Schottky MBR2030,35,40,45,50FCT di potere
- Tipo: Chip della barriera di Schottky
- La media ha rettificato la corrente d'uscita: 20A
- Tensione inversa di punta di lavoro: 30-60V
Contatto
Raddrizzatore a ponte del diodo Schottky MBR10150,200, raddrizzatore a ponte del diodo
- Transistor del Mosfet di potere: TO-220-3L Plastica-incapsulano i diodi
- Tensione di didascalia di CC: 150/200v
- La media ha rettificato la corrente d'uscita: 10A
Contatto
TIP117 transistor a corrente forte, perdita bassa del transistor dell'interruttore di accensione
- Tipo: Triodo a semiconduttore
- Transistor del Mosfet di potere: Plastica di TO-220-3L - incapsulata
- Identificazione del prodotto: TIP117
Contatto
M1 CON tensione inversa ad alta tensione del diodo di raddrizzatore M7 - 50 - 1000 volt
- Tipo: Raddrizzatore al silicio per tutti gli usi
- RθJA: 75.0℃/W
- IFSM: 30.0Amp
Contatto
materiale del silicio di AlphaSGT HXY4264 di Manica del transistor di effetto del giacimento del MOS 60V N
- Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet
- Temperatura di giunzione:: 150℃
- Materiale: silicio
Contatto
FR101 CON FR107 digiunano diodo di raddrizzatore, diodo ultraveloce di recupero
- Tipo: COMMUTAZIONE DIODESOD
- Caratteristica: Perdita inversa bassa
- Terminali: Terminali assiali placcati, solderable per MIL-STD-750,
Contatto

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