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Tipo rendimento elevato del supporto della superficie del transistor di potenza del Mosfet WST2078 

Certificazione
di buona qualità Transistor di potenza di punta per le vendite
di buona qualità Transistor di potenza di punta per le vendite
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Tipo rendimento elevato del supporto della superficie del transistor di potenza del Mosfet WST2078 

Porcellana Tipo rendimento elevato del supporto della superficie del transistor di potenza del Mosfet WST2078  fornitore

Grande immagine :  Tipo rendimento elevato del supporto della superficie del transistor di potenza del Mosfet WST2078 

Dettagli:

Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: WST2078

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno
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Descrizione di prodotto dettagliata
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet Caratteristiche: Pacchetto di superficie del supporto
RDSON: 30mΩ Numero di modello: WST2078
Case: Nastro/vassoio/bobina

MOSFET di N&P-Manica WST2078

 

Descrizione

 

Il WST2078 è la fossa di rendimento elevato

MOSFETs N-ch e P-ch con l'alta cellula estrema

densità, che forniscono RDSON eccellente e gate

addebiti la maggior parte di piccola commutazione di potenza e

carichi le applicazioni del commutatore.

 

Il raduno WST2078 il RoHS ed il prodotto verde

requisito con affidabilità completa di funzione approvata.

 

 

 

Applicazioni

 

  • Punto-de-carico ad alta frequenza s sincrona
  • Piccola commutazione di potenza per MB/NB/UMPC/VGA
  • Centrale elettrica di CC-CC della rete
  • Commutatore del carico

 

Caratteristiche
  • Alta tecnologia avanzata della fossa di densità delle cellule
  • tassa bassa eccellente del portone di z
  • declino eccellente di effetto di z Cdv/dt
  • dispositivo di verde di z disponibile

 

Valutazioni massime assolute

 

Tipo rendimento elevato del supporto della superficie del transistor di potenza del Mosfet WST2078 

 

 

Dati termici
Tipo rendimento elevato del supporto della superficie del transistor di potenza del Mosfet WST2078 
 
Caratteristiche elettriche di N-Manica (℃ TJ=25, salvo indicazione contraria)
Tipo rendimento elevato del supporto della superficie del transistor di potenza del Mosfet WST2078 
 
 
Caratteristiche di diodo del corpo di Scolo-fonte
 
Tipo rendimento elevato del supporto della superficie del transistor di potenza del Mosfet WST2078 
 
 
Nota:
1. I dati hanno provato da superficie montata su un 1 bordo di inch2 FR-4 con rame 2OZ.
2. I dati hanno provato tramite pulsato, ≦ 300us, il ≦ 2% di larghezza di impulso del duty cycle
3. La dissipazione di potere è limitata dalla temperatura di giunzione 150℃
4. I dati sono teoricamente lo stesso come l'identificazione e IDM, nelle applicazioni reali, dovrebbero essere limitati dalla dissipazione di potere totale.
 
 
Caratteristiche elettriche di P-Manica (℃ TJ=25, salvo indicazione contraria)
 
 
Tipo rendimento elevato del supporto della superficie del transistor di potenza del Mosfet WST2078 
 
 
Caratteristiche di diodo del corpo di Scolo-fonte
 
Tipo rendimento elevato del supporto della superficie del transistor di potenza del Mosfet WST2078 
 
 
Nota:
1. I dati hanno provato da superficie montata su un 1 inch2
Bordo FR-4 con rame 2OZ.
2. I dati hanno provato tramite pulsato, ≦ 300us, il ≦ 2% di larghezza di impulso del duty cycle
3. La dissipazione di potere è limitata dai dati della temperatura di giunzione 150℃ 4.The è teoricamente la stessa come l'identificazione e IDM, nelle applicazioni reali, dovrebbero essere limitati dalla dissipazione di potere totale.
 
 
Caratteristiche tipiche di N-Manica
 
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Caratteristiche tipiche di P-Manica
 
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Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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