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Dettagli:
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| Numero di modello: | AP2302AGN-HF | Stato di RoHs:: | Senza piombo/RoHS compiacente |
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| Qualità:: | nuovo originale di 100% | D/C:: | Il più nuovo |
| Descrizione: | APEC DI AP2302AGN-HF | Tipo:: | IC |
| Evidenziare: | 1.38W transistor di potenza CI,20A transistor di potenza CI,Transistor del Mosfet di APEC di AP2302AGN-HF |
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APEC caldo specializzato AP2302AGN-HF di CI AP2302AGN-HF
Descrizione
Le serie di AP2302A provengono da potere avanzato hanno innovato progettazione e tecnologia della trasformazione del silicio di raggiungere la resistenza su possibile più bassa e la prestazione di commutazione veloce. Fornisce al progettista un dispositivo efficiente estremo per uso in una vasta gamma di applicazioni di potere.
Il pacchetto speciale di progettazione SOT-23 con la buona prestazione termica ampiamente è preferito per tutte le applicazioni del supporto della superficie di commerciale-industriale facendo uso della tecnica infrarossa di riflusso ed è adatto per le applicazioni di conversione o del commutatore di tensione.
Ratings@Tj massimo assoluto =25oC (salvo specificazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
| VDS | Tensione di Scolo-fonte | 20 | V |
| VGS | Tensione di Portone-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Vuoti la corrente3, VGS @ 4.5V | 4,6 | |
| ID@TA =70℃ | Vuoti la corrente3, VGS @ 4.5V | 3,7 | |
| IDM | Corrente pulsata1dello scolo | 20 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipazione di potere totale | 1,38 | W |
| TSTG | Gamma di temperature di stoccaggio | -55 - 150 | ℃ |
| TJ | Gamma di temperature di funzionamento della giunzione | -55 - 150 | ℃ |
Dati termici
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| Rthj-a | Resistenza termica massima,3Giunzione-ambientali | 90 | ℃/W |
AP2302AGN-H
Characteristics@Tj elettrico =25oC (salvo specificazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
| BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAZIONE =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOPRA) |
Su resistenza statica2di Scolo-fonte |
VGS =4.5V, IDENTIFICAZIONE =4A | - | - | 42 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAZIONE =3A | - | - | 60 | mΩ | ||
| VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250UA | 0,3 | - | 1,2 | V |
| gfs | Transconduttanza di andata | VDS =5V, IDENTIFICAZIONE =4A | - | 14 | - | S |
| IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | uA |
| IGSS | Perdita di Portone-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
| Qg | Tassa totale2del portone |
IDENTIFICAZIONE =4A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 6,5 | 10,5 | nC |
| Qgs | Tassa di Portone-fonte | - | 1 | - | nC | |
| Qgd | Tassa dello Portone-scolo («Miller») | - | 2,5 | - | nC | |
| il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura2 |
IDENTIFICAZIONE =1A RG =3.3Ω DI VDS =10V VGS =5V |
- | 9 | - | NS |
| TR | Tempo di aumento | - | 12 | - | NS | |
| il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-fuori | - | 16 | - | NS | |
| tf | Tempo di caduta | - | 5 | - | NS | |
| Ciss | Capacità introdotta |
VGS =0V VDS =20V f=1.0MHz |
- | 300 | 480 | PF |
| Coss | Capacità di uscita | - | 85 | - | PF | |
| Crss | Capacità inversa di trasferimento | - | 80 | - | PF | |
| Rg | Resistenza del portone | f=1.0MHz | - | 2 | - | Ω |
Diodo dello Fonte-scolo
| Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
| VSD | Trasmetta su tensione2 | È =1.2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Tempo di recupero inverso2 |
È =4A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 20 | - | NS |
| Qrr | Tassa inversa di recupero | - | 10 | - | nC |
Note:
larghezza 1.Pulse limitata dalla temperatura di giunzione massima.
prova 2.Pulse
3.Surface ha montato su 1 in cuscinetto di rame2 FR4 del bordo, t<> 10s; 270℃/W quando ha montato sul cuscinetto di rame minimo.
Pagamento:
Accettiamo i termini di pagamento: Trasferimento telegrafico (T/T) in anticipo/servizio di Paypal/Western Union/impegno o termini netti (cooperazione a lungo termine).
Possiamo sostenere molti generi di valuta, quale USD; HKD; EUR; I CNY ed altri, ci contattano prego.
Persona di contatto: David
