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Corrente di collettore materiale del silicio del transistor di potenza del silicio 2SD965A 600 mA

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
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Corrente di collettore materiale del silicio del transistor di potenza del silicio 2SD965A 600 mA

Corrente di collettore materiale del silicio del transistor di potenza del silicio 2SD965A 600 mA
Corrente di collettore materiale del silicio del transistor di potenza del silicio 2SD965A 600 mA

Grande immagine :  Corrente di collettore materiale del silicio del transistor di potenza del silicio 2SD965A 600 mA

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: 2SD965A
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Corrente di collettore materiale del silicio del transistor di potenza del silicio 2SD965A 600 mA

descrizione
Tensione della Collettore-Base: 40V Corrente di collettore - continua: 5A
Tstg: -55~+150℃ Materiale: silicio
Corrente di collettore: 600 mA Temperatura di stoccaggio: -55~+150℃
Evidenziare:

transistor ad alta frequenza

,

transistor dell'interruttore di accensione

SOT-89-3L Plastica-incapsulano i transistor 2SD965A 2SD965A

 

 

CARATTERISTICA
  • Amplificatore audio
  • Unità istantanea della macchina fotografica
  • Circuito di commutazione

 

Segno: D965A

 

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)
 

SimboloParametroValoreUnità
VCBOTensione della Collettore-base-60V
VCEOTensione dell'Collettore-emettitore-60V
VEBOTensione emittenta-base-4V
ICCorrente di collettore-500mA
PCDissipazione di potere del collettore225Mw
RΘJAResistenza termica dalla giunzione ad ambientale556℃/W
TjTemperatura di giunzione150
TstgTemperatura di stoccaggio-55~+150

 
 
 
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)
 

ParametroSimboloCondizioni di provaMinTipoMassimoUnità
tensione di ripartizione della Collettore-baseV (BR) CBOIC=0.1mA, CIOÈ =040  V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitoreCEO V (DEL BR)IC= 1mA. IB=030  V
Tensione di ripartizione emittenta-baseV (BR) EBOCIOÈ = 10μA, IC=07  V
Corrente di taglio di collettoreICBOVCB= 10V, CIOÈ =0  0,1μA
Corrente di taglio dell'emettitoreIEBOVEB=7V, IC=0  0,1μA

 
 

Guadagno corrente di CC

hFE (1)VCE= 2 V, IC=1mA 200  
 hFE (2)VCE= 2V, IC = 500mA230 800 
 hFE (3)VCE= 2V, IC =2A150   
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitoreVCE (seduto)IC=3A, IB=0.1A  1V
Frequenza di transizionefTVCE=6V, IC=50mA 150 Megahertz
Fuori capacitàPannocchiaVCB=20 V, CIOÈ =0, f=1MHZ  50PF

 
 
 
 

CLASSIFICAZIONE DELFedi h(2)

 

 

RangoQRS
Gamma230-380340-600560-800

 
 
 

 

 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

SimboloDimensioni nei millimetriDimensioni nei pollici
 MinMassimoMinMassimo
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 TIPI0,037 TIPI
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 RIFERIMENTI0,022 RIFERIMENTI
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
Corrente di collettore materiale del silicio del transistor di potenza del silicio 2SD965A 600 mA 0
 
 
 
Nastro e bobina di SOT-89-3L
Corrente di collettore materiale del silicio del transistor di potenza del silicio 2SD965A 600 mA 1
Corrente di collettore materiale del silicio del transistor di potenza del silicio 2SD965A 600 mA 2
Corrente di collettore materiale del silicio del transistor di potenza del silicio 2SD965A 600 mA 3
 
 
 
 

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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