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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | VDS: | 20V |
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| Numero di modello: | HXY9926A | Case: | Nastro/vassoio/bobina |
| VGS: | ±1.2V | Corrente continua dello scolo: | 6.5A |
| Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,commutatore a corrente forte del mosfet |
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HXY9926A 20V si raddoppiano MOSFET di N-Manica
Descrizione generale
La tecnologia avanzata della fossa di usi di HXY9926A a
fornisca il RDS eccellente (SOPRA), la tassa del portone e l'operazione basse
con le tensioni del portone basse quanto 1.8V mentre conservando un 12V
Valutazione di VGS (max). Questo dispositivo è adatto ad uso come un unidirezionale
o commutatore bidirezionale del carico.
Riassunto del prodotto
Valutazioni massime assolute T =25°C salvo indicazione contraria
Caratteristiche elettriche (T =25°C salvo indicazione contraria)
A. Il valore delθJAdella R è misurato con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con 2oz. Rami, in un ambiente di aria tranquillo con TA =25°C.
il valore in tutta l'applicazione data dipende dalla progettazione specifica del bordo dell'utente.
B. La dissipazione di potere la PD è basata su TJ(max) =150°C, facendo uso della resistenza termica giunzione--ambientale del ≤ 10s.
C. la valutazione ripetitiva, larghezza di impulso limitata dalle valutazioni della temperatura di giunzione TJ(max) =150°C. è basata su bassa frequenza e sui duty cycle per tenere
D. IlθJAdella R è la somma dell'impedenza termica dalla giunzione per condurre ilθJLdella R e da condurre ad ambientale.
E. Le caratteristiche statiche nella figure 1 - 6 sono ottenute facendo uso di <300>
CARATTERISTICHE ELETTRICHE E TERMICHE TIPICHE
Persona di contatto: David
