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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | VDSS: | 6,0 A |
|---|---|---|---|
| Numero di modello: | 8H02ETS | Applicazione: | Gestione di potere |
| Caratteristica: | Tassa bassa del portone | Transistor del Mosfet di potere: | SOT-23-6L Plastica-si incapsulano |
| Evidenziare: | commutatore a corrente forte del mosfet,transistor ad alta tensione |
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MOSFET di modo di potenziamento di 20V N+N-Channel
DESCRIZIONE
La tecnologia avanzata della fossa 8H02ETSuses a
fornisca il RDS eccellente (SOPRA), la tassa bassa del portone e
operazione con le tensioni del portone basse quanto 2.5V.
CARATTERISTICHE GENERALI
VDS = 20V, IDENTIFICAZIONE = 7A
8H02TS RDS (SOPRA) < 28m="">
RDS (SOPRA) < 26m="">
RDS (SOPRA) < 22m="">
RDS (SOPRA) < 20m="">
Valutazione di ESD: 2000V HBM
Applicazione
Protezione della batteria
Gestione di potere del commutatore del carico
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
| Identificazione del prodotto | Pacchetto | Segno | Qty (PCS) |
| 8H02ETS | TSSOP-8 | AAAA DI 8H02ETS WW | 5000/3000 |
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (TA=25℃ salvo indicazione contraria)
| Parametro | Simbolo | Limite | Unità |
| Tensione di Scolo-fonte | VDS | 20 | V |
| Tensione di Portone-fonte | VGS | ±12 | V |
| Vuoti Current-Continuous@ Corrente-ha pulsato (nota 1) | Identificazione | 7 | V |
| Dissipazione di potere massima | Palladio | 1,5 | W |
| Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | TJ, TSTG | -55 - 150 | ℃ |
| Resistenza termica, Giunzione--ambientale (nota 2) | RθJA | 83 | ℃/W |
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (TA=25℃ salvo indicazione contraria)
Persona di contatto: David
