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MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V

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Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V
MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V

Grande immagine :  MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: 20G04GD
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno
Contatto

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet Caratteristiche: Pacchetto di superficie del supporto
Identificazione: 20A Numero di modello: WST3078
VGS: -10V Applicazioni: Gestione di potere
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

MOSFET di modo di potenziamento di 20G04GD 40V N+P-Channel
 

 

Descrizione

 

La fossa avanzata di usi 20G04GD 

tecnologia per fornire la R eccellenteDS(SOPRA)

e tassa bassa del portone. Questo dispositivo è

adatto ad uso come commutatore del carico o dentro

Applicazioni di PWM.

 

 

CARATTERISTICHE GENERALI
N-CH VDS =-40V, IDENTIFICAZIONE =20A RDS (SOPRA) < 25m="">
 
Applicazione
Applicazioni di PWM
Commutatore del carico
Gestione di potere
 
 
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 0
 

Ratings@T massimo assoluto =25oC (salvo specificazione contraria)

 

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 1

N-CH Characteristics@ elettrico T =25oC (salvo specificazione contraria)

 

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 2

P-CH Characteristics@T elettrico =25oC (salvo specificazione contraria)

 

 

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 3

 
 
P-CH Characteristics@T elettrico =25oC (salvo specificazione contraria)
 
MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 4
 
 
MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 5MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 6MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 7MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 8MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 9MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 10MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 11MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 12MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04GD 40V 13
 
 
 
 
 

Prodotto Tag:

transistor ad alta tensione,

transistor del mosfet del canale di n,

commutatore a corrente forte del mosfet

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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