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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | Applicazione: | Gestione di potere |
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| Caratteristica: | RDS eccellente (sopra) | Transistor del Mosfet di potere: | MOSFET di potere di modo di potenziamento |
| Numero di modello: | 12N60 | Tipo: | transistor del mosfet del canale di n |
| Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
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Transistor del Mosfet di Manica dell'OEM N, piccolo modo di potenziamento dell'interruttore di accensione del Mosfet
DESCRIZIONE del transistor del Mosfet di Manica di N
Il UTC 12N60-C è un MOSFET ad alta tensione di potere destinato per avere migliori caratteristiche, quali tempo veloce di commutazione, la tassa bassa del portone, la resistenza bassa dello su stato e le alte caratteristiche irregolari della valanga. Questo MOSFET di potere è utilizzato solitamente nelle applicazioni ad alta velocità di commutazione delle alimentazioni elettriche e degli adattatori di commutazione.
CARATTERISTICHE del transistor del Mosfet di Manica di N
* RDS(SOPRA)< 0=""> GS = 10 V, ID = 6,0 A
* capacità veloce di commutazione
* energia della valanga provata
* capacità migliore di dv/dt, alta irregolarità
| Numero di ordinazione | Pacchetto | Assegnazione di Pin | Imballaggio | |||
| Senza piombo | L'alogeno libera | 1 | 2 | 3 | ||
| 12N60L-TF1-T | 12N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Metropolitana |
| 12N60L-TF3-T | 12N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Metropolitana |
Nota: Assegnazione di Pin: G: Portone D: Scolo S: Fonte
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (TC = 25°С, salvo specificazione contraria)
| PARAMETRO | SIMBOLO | CONDIZIONI DI PROVA | MIN | TIPO | Max | UNI T | |
| FUORI DALLE CARATTERISTICHE | |||||||
| Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Corrente di perdita di Scolo-fonte | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | μA | |||
| Corrente di perdita di fonte del portone | Di andata | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | Na | ||
| Inverso | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | Na | ||||
| SULLE CARATTERISTICHE | |||||||
| Tensione della soglia del portone | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistenza statica dello Su stato di Scolo-fonte | RDS (SOPRA) | VGS=10V, ID=6.0A | 0,7 | Ω | |||
| CARATTERISTICHE DINAMICHE | |||||||
| Capacità dell'input | CISS |
VGS=0V, VDS=25V, f =1.0 megahertz |
1465 | PF | |||
| Capacità di uscita | COSS | 245 | PF | ||||
| Capacità inversa di trasferimento | CRSS | 57 | PF | ||||
| CARATTERISTICHE DI COMMUTAZIONE | |||||||
| Tassa totale del portone (nota 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (nota 1,2) | 144 | nC | |||
| Tassa di Portone-fonte | QGS | 10 | nC | ||||
| Tassa dello Portone-scolo | QGD | 27 | nC | ||||
| Tempo di ritardo d'apertura (nota 1) | il TD (SOPRA) |
VDD =30V, ID =0.5A, RG =25Ω, VGS=10V (nota 1,2) |
81 | NS | |||
| Tempo di aumento d'apertura | tR | 152 | NS | ||||
| Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (FUORI) | 430 | NS | ||||
| Tempo di caduta di giro-Fuori | tF | 215 | NS | ||||
| CARATTERISTICHE DI DIODO DI DRAIN-SOURCE E VALUTAZIONI MASSIME | |||||||
| Il diodo continuo massimo di Scolo-fonte trasmette la corrente | IS | 12 | A | ||||
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Il massimo ha pulsato diodo di Scolo-fonte Corrente di andata |
DOTTRINA | 48 | A | ||||
| Tensione di andata del diodo di Scolo-fonte | VSD | VGS=0 V, IS=6.0 A | 1,4 | V | |||
| Tempo di recupero inverso | trr |
VGS=0 V, IS=6.0 A, DiF/dt=100 A/μs (nota 1) |
336 | NS | |||
| Tassa inversa di recupero | Qrr | 2,21 | μC | ||||
Note: 1. le valutazioni massime assolute sono quei valori oltre cui il dispositivo potrebbe permanentemente essere danneggiato.
Le valutazioni massime assolute sono valutazioni di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata.
4. Valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
5. L = 84mH, ICOME =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 che inizia TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS dideviazione standarddi V, iniziante TJ = 25°C
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (TJ = 25°С, salvo specificazione contraria)
| Parametro | Simbolo | Circostanza | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| Fuori dalle caratteristiche | ||||||
| Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 100 | 110 | - | V |
| Corrente zero dello scolo di tensione del portone | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Corrente di perdita del Portone-corpo | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| Sulle caratteristiche (nota 3) | ||||||
| Tensione della soglia del portone | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,8 | 2,5 | V |
| Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte | RDS (SOPRA) | VGS=10V, ID =8A | 98 | 130 | Ω di m. | |
| Transconduttanza di andata | gFS | VDS=25V, ID=6A | 3,5 | - | - | S |
| Caratteristiche dinamiche (Note4) | ||||||
| Capacità dell'input | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 690 | - | PF |
| Capacità di uscita | Coss | - | 120 | - | PF | |
| Capacità inversa di trasferimento | Crss | - | 90 | - | PF | |
| Caratteristiche di commutazione (nota 4) | ||||||
| Tempo di ritardo d'apertura | il TD (sopra) |
VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 11 | - | NS |
| Tempo di aumento d'apertura | tr | - | 7,4 | - | NS | |
| Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (fuori) | - | 35 | - | NS | |
| Tempo di caduta di giro-Fuori | tf | - | 9,1 | - | NS | |
| Tassa totale del portone | Qg |
VDS=30V, ID=3A, VGS=10V |
- | 15,5 | nC | |
| Tassa di Portone-fonte | Qgs | - | 3,2 | - | nC | |
| Tassa dello Portone-scolo | Qgd | - | 4,7 | - | nC | |
| Caratteristiche di diodo di Scolo-fonte | ||||||
| Tensione di andata del diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=9.6A | - | - | 1,2 | V |
| Corrente di andata del diodo (nota 2) | IS | - | - | 9,6 | A | |
| Tempo di recupero inverso | trr |
TJ = 25°C, SE =9.6A di/dt = 100A/μs(Note3) |
- | 21 | NS | |
| Tassa inversa di recupero | Qrr | - | 97 | nC | ||
| Tempo d'apertura di andata | tonnellata | Il tempo d'apertura intrinseco è trascurabile (eccitazzione è dominata da LS+LD) | ||||
Essenzialmente indipendente dalla temperatura di funzionamento. Note: 1. prova di impulso: ≤ 300µs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.
Persona di contatto: David
