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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | Transistor del livello logico | Caratteristiche: | Potente |
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| Numero di modello: | 2N60- TO-220F | tensione di Scolo-fonte: | 600v |
| Tensione di Portone-Fonte: | ± 30V | Tipo: | Commutatore del Mosfet di Manica di N |
| Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
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Commutatore potente 2N60 TO-220F del Mosfet di Manica del transistor/N del livello logico
DESCRIZIONE del transistor del livello logico
Il UTC 2N60-TC3 è un MOSFET ad alta tensione di potere ed è destinato ad avere migliori caratteristiche, quali tempo veloce di commutazione, la tassa bassa del portone, la resistenza bassa dello su stato ed ad avere caratteristiche irregolari alte di una valanga. Questo MOSFET di potere è utilizzato solitamente alle applicazioni ad alta velocità di commutazione nelle alimentazioni elettriche, nei controlli motori di PWM, nell'alta CC efficiente ai convertitori di CC e nei ponti.
CARATTERISTICHE del transistor del livello logico
* alta velocità di commutazione di RDS < 7="">(SOPRA) *
SIMBOLO del transistor del livello logico
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
Numero di ordinazione | Pacchetto | Assegnazione di Pin | Imballaggio | |||
Senza piombo | L'alogeno libera | 1 | 2 | 3 | ||
2N60L-TF1-T | 2N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Metropolitana |
2N60L-TF3-T | 2N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Metropolitana |
2N60L-TM3-T | 2N60G-TM3-T | TO-251 | G | D | S | Metropolitana |
Nota: Assegnazione di Pin: G: Portone D: Scolo S: Fonte
SEGNO
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (TC = 25°С, salvo specificazione contraria)
PARAMETRO | SIMBOLO | VALUTAZIONI | UNITÀ | |
Tensione di Scolo-fonte | VDSS | 600 | V | |
Tensione di Portone-fonte | VGSS | ± 30 | V | |
Vuoti la corrente | Continuo | Identificazione | 2 | A |
Pulsato (nota 2) | IDM | 4 | A | |
Energia della valanga | Scelga pulsato (nota 3) | EAS | 84 | mJ |
Alzi il recupero verticalmente del diodo dv/dt (nota 4) | dv/dt | 4,5 | V/ns | |
Dissipazione di potere | TO-220F/TO-220F1 | Palladio | 23 | W |
TO-251 | 44 | W | ||
Temperatura di giunzione | TJ | +150 | °C | |
Temperatura di stoccaggio | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Note: 1. le valutazioni massime assolute sono quei valori oltre cui il dispositivo potrebbe permanentemente essere danneggiato.
Le valutazioni massime assolute sono valutazioni di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata.
Valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
L = 84mH, IAS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 che inizia TJ = 25°C
≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, VDD ≤BVDSS del ISD, iniziante TJ = 25°C
DATI TERMICI
PARAMETRO | SIMBOLO | VALUTAZIONI | UNITÀ | |
Giunzione ad ambientale | TO-220F/TO-220F1 | θJA | 62,5 | °C/W |
TO-251 | 100 | °C/W | ||
Giunzione da rivestire | TO-220F/TO-220F1 | θJC | 5,5 | °C/W |
TO-251 | 2,87 | °C/W | ||
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (TJ = 25°С, salvo specificazione contraria)
PARAMETRO | SIMBOLO | CONDIZIONI DI PROVA | MIN | TIPO | Max | UNITÀ | |
FUORI DALLE CARATTERISTICHE | |||||||
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | BVDSS | VGS=0V, ID= 250μA | 600 |
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| V | |
Corrente di perdita di Scolo-fonte | IDSS | VDS=600V, VGS=0V |
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| 1 | µA | |
Corrente di perdita di Portone-fonte | Di andata | IGSS | VGS=30V, VDS=0V |
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| 100 | Na |
Inverso | VGS=-30V, VDS=0V |
|
| -100 | Na | ||
SULLE CARATTERISTICHE | |||||||
Tensione della soglia del portone | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 |
| 4,0 | V | |
Resistenza statica dello Su stato di Scolo-fonte | RDS (SOPRA) | VGS=10V, ID=1.0A |
|
| 7,0 | Ω | |
CARATTERISTICHE DINAMICHE | |||||||
Capacità dell'input | CISS | |
| 190 |
| PF | |
Capacità di uscita | COSS |
| 28 |
| PF | ||
Capacità inversa di trasferimento | CRSS |
| 2 |
| PF | ||
CARATTERISTICHE DI COMMUTAZIONE | |||||||
Tassa totale del portone (nota 1) | QG | VDS=200V, VGS=10V, ID=2.0A IG=1mA (nota 1, 2) |
| 7 |
| nC | |
Tassa di Gateource | QGS |
| 2,9 |
| nC | ||
Tassa dello Portone-scolo | QGD |
| 1,9 |
| nC | ||
Tempo di ritardo d'apertura (nota 1) | il TD (SOPRA) | |
| 4 |
| NS | |
Tempo di aumento | TR |
| 16 |
| NS | ||
Tempo di ritardo di giro-fuori | il TD (FUORI) |
| 16 |
| NS | ||
Caduta-Time | tF |
| 19 |
| NS | ||
VALUTAZIONI E CARATTERISTICHE DEL DIODO DELLO SCOLO DI FONTE | |||||||
Corrente continua del Corpo-diodo massimo | È |
|
|
| 2 | A | |
Il Corpo-diodo massimo ha pulsato corrente | DOTTRINA |
|
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| 8 | A | |
Tensione di andata del diodo di Scolo-fonte (nota 1) | VSD | VGS=0V, IS=2.0A |
|
| 1,4 | V | |
Tempo di recupero inverso (nota 1) | trr | VGS=0V, IS=2.0A, |
| 232 |
| NS | |
Tassa inversa di recupero | Qrr |
| 1,1 |
| µC | ||
Note: 1. prova di impulso: ≤ 300µs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.
Essenzialmente indipendente dalla temperatura di funzionamento.
Persona di contatto: David
