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Dimensione standard elettronica del transistor di potenza 30P03X TO-252 del Mosfet dei componenti

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Dimensione standard elettronica del transistor di potenza 30P03X TO-252 del Mosfet dei componenti

Dimensione standard elettronica del transistor di potenza 30P03X TO-252 del Mosfet dei componenti
Dimensione standard elettronica del transistor di potenza 30P03X TO-252 del Mosfet dei componenti

Grande immagine :  Dimensione standard elettronica del transistor di potenza 30P03X TO-252 del Mosfet dei componenti

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: 30P03X TO-252
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Dimensione standard elettronica del transistor di potenza 30P03X TO-252 del Mosfet dei componenti

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet Tipo: Componenti elettronici
Numero di modello: 30P03X TO-252 tensione di Scolo-fonte: -30 V
Tensione di Portone-Fonte: ±25 V Dimensioni: Dimensioni standard
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

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Descrizione del transistor di potenza del Mosfet


La tecnologia avanzata della fossa di usi 30P03X
e progettazione per fornire RDS eccellente (SOPRA) il minimo
gatecharge. Può essere utilizzato in un'ampia varietà di

applicazioni.


Caratteristiche generali del transistor di potenza del Mosfet


VDS=-30V, ID=-40A
RDS (SOPRA)<20m> RDS (SOPRA)<32m>


Applicazione del transistor di potenza del Mosfet


Applicazione di commutazione di potenza del ●
Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza del ●
Gruppo di continuità del ●

 

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

 

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Valutazioni massime assolute (T A =25℃ salvo indicazione contraria)

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Caratteristiche elettriche (T A =25℃ salvo indicazione contraria)

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Note:
1. valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
2. superficie montata FR4 sul bordo, sec del ≤ 10 di t.
3. prova di impulso: ≤ 300μs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.
4. garantito da progettazione, non conforme a produzione

 

Caratteristiche elettriche e termiche tipiche  

 

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Dettagli di contatto
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