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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | transistor di effetto del giacimento del MOS del canale di n | Numero di modello: | G045P03LQ1C2 |
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| energia: | -30V/-80A | R del mΩ 3,8 (tipo di DS (SOPRA) =.): | @V GS = -10V |
| R del mΩ 6,2 (tipo di DS (SOPRA) =.): | @V GS = -4.5V | Applicazione: | Commutazione |
| Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
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Transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N, transistor di alto potere -30V/-80A
Descrizione del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N
-30V/-80A
R del mΩ 3,8 (tipo di DS (SOPRA) =.) @V GS = -10V
R del mΩ 6,2 (tipo di DS (SOPRA) =.) @V GS = -4.5V
Valanga 100% provata
Affidabile ed irregolare
Dispositivi liberi dell'alogeno disponibili
Applicazioni del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N
Applicazione di commutazione
Gestione di potere per DC/DC
Protezione della batteria
Informazioni d'ordinazione e di segno
C2
G045P03
Codice del pacchetto
C2: PPAK5*6-8L
Codice della data
Nota: I prodotti senza piombo di HUAYI contengono i composti del modanatura/muoiono materiali dell'attaccatura e foglio di latta della metallina di 100% Termi-
Rivestimento di nazione; quale sono pienamente compatibili con RoHS. I prodotti senza piombo di HUAYI incontrano o superano il senza piombo richiedono
ments di IPC/JEDEC J-STD-020 per la classificazione di MSL alla temperatura di punta senza piombo di riflusso. HUAYI definisce
«Verde» per significare senza piombo (RoHS compiacente) ed alogeno libero (Br o il Cl non supera 900ppm a peso dentro
il materiale ed il totale omogenei di Br e di Cl non supera 1500ppm a peso).
HUAYI riserva il diritto di apportare i cambiamenti, le correzioni, i potenziamenti, le modifiche ed i miglioramenti a questo PR
oduct e/o a questo documento in qualunque momento senza preavviso.
Valutazioni massime assolute
Caratteristiche di funzionamento tipiche
Persona di contatto: David
