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Transistor di potenza del silicio

Porcellana Transistor di potenza del silicio

Tensione emittenta-base -5V del transistor di potenza del silicio A94 per l'alimentazione elettrica mobile

Tensione della Collettore-Base:-400V

Dissipazione di potere del collettore:0.5W

Tensione emittenta-base:-5V
Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN

Tensione della Collettore-Base:-40v

Temperatura di giunzione:℃ 150

Tensione emittenta-base:-5V
Corrente di collettore materiale del silicio del transistor di potenza del silicio 2SD965A 600 mA

Tensione della Collettore-Base:40V

Corrente di collettore - continua:5A

Tstg:-55~+150℃
2N5401 transistor VCBO -160V di alto potere PNP per i componenti elettronici

VCBO:-160V

VCEO:-150V

VEBO:-5V
Commutazione ad alta velocità di dissipazione di potere del collettore del transistor di potenza del silicio D882 0.5W

Tensione della Collettore-Base:40V

Dissipazione di potere del collettore:0.5W

Tensione emittenta-base:6v
Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio di MMBTA55 NPN

Temperatura di giunzione:℃ 150

Tipo:Transistor del triodo

Applicazione:l'alimentazione elettrica mobile ha condotto il driver/controllo motorio
Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN

Tensione della Collettore-Base:-310V

Tipo:Transistor del triodo

Case:Nastro/vassoio/bobina

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diodo di raddrizzatore veloce di recupero
diodo Zener di potere
raddrizzatore a ponte di schottky
diodo di raddrizzatore ad alta tensione
Triodo a semiconduttore
Stabilizzatore IC di tensione

circa

transistor di potenza del mosfet: Transistor del livello logico HXY4616, MOSFET complementare ad alta tensione del transistor 30V; Alta tensione VDS 40V VGS ±20v del transistor di potenza ±20v VGS del Mosfet HXY4616; MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V

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